ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
66
где
)}
ll
r
R(Pmax{
ун
i
хн
i
т
вн
i.
тн
max
н
+=Θ
1
.
При выполнении условия Р
о
≤Р'
о
дальнейший тепловой расчет микросхем не
требуется. Однако в этом случае определяют максимально возможные
температуры элементов и компонентов микросхемы. Это осуществляется по
следующим формулам:
для пленочных резисторов
)PP(rtt
maxнткmaxR
+
+
=
0
;
для пленочных конденсаторов
)PP(r,tt
maxнткmaxC
+
+
=
0
50
;
для навесных компонентов
maxнткmaxн
Prtt
Θ
+
+
=
0
,
где
}
ll
P
max{P
унiхнi
нi
maxн
+
=
.
7.2. Обеспечение заданного теплового режима микросхемы.
Если величина Р
0
> > Р'
0
, то для обеспечения заданного теплового режима
микросхемы необходимо отделить навесные компоненты от остальных
тепловыделяющих элементов зонами защиты, свободными от источников тепла
и предназначенными для ослабления теплового влияния на них остальных
элементов микросхемы. Защита может быть двухсторонней (рис. 7.2,а) и по
периметру (рис. 7.2,б).
Расчет зон защиты производят в следующем порядке.
Вначале определяют величины:
δ
=
A
a
;
где А – ширина защищаемой зоны, м;
)
ll
r
R(P
унхн
т
вн.тт.нт.н
+=Θ
,
где Р
н.т
- мощность, рассеиваемая наиболее нагруженным навесным компо-
нентом.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 63
- 64
- 65
- 66
- 67
- …
- следующая ›
- последняя »
