ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
68
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
Раздел 1.
1. Перечислите наиболее известные методы получения тонких пленок.
2. Объясните особенности методов получения тонких пленок.
3. Объясните, какие требования предъявляются к подложкам ГПИМС.
4. Назовите основные характеристики материалов подложек.
Раздел 2.
1. Сформулируйте понятие гибридно-пленочной интегральной схемы.
2. Определите последовательность разработки ГПС.
3. Какими сведениями нужно обладать для разработки топологии и морфо-
логии?
4. Какие данные необходимы для проектирования и расчета топологической
структуры ГИС?
5. Какова точность воспроизведения электротехнических параметров пле-
нок?
6. Назовите основные принципы проектирования топологической структу-
ры ГИС?
7. Назовите, чем необходимо руководствоваться при определении степени
интеграции принципиальной электрической схемы устройства.
8. Дайте определение понятию «компоновка топологической структуры
гибридной интегральной схемы».
Раздел 3.
1. Перечислите, что влияет на электрические характеристики пленочных ре-
зисторов?
2. Какие требования предъявляются к материалу резистивных пленок?
3. Перечислите требования, предъявляемые к контактным площадкам.
4. Назовите основные параметры материалов тонкопленочных резисторов.
5. Перечислите основные технические характеристики пленочных контакт-
ных площадок и проводников.
6. Изобразите основные конструкции пленочных резисторов.
7. Перечислите исходные данные для расчета пленочных резисторов.
8. Сформулируйте рекомендованную последовательность расчета тонкоп-
леночных резисторов.
9. Представьте последовательность расчета резистора типа «меандр».
10. Назовите разновидности конструкций пленочных переходных контактов.
11. Поясните, как определить основные конструктивные параметры
переходных контактов.
12. Поясните, как произвести оценку частотных свойств пленочных
резисторов.
13. Сформулируйте определение удельного поверхностного сопротивления
пленки.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
