Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

11
заданной топологии р азмещены обл асти мо но кр и с та лл ич е ско г о кремния n-
типа проводимости, изолированные диэлектриком. Мо но кр и ст алл ич ески е об -
ласти мо гу т иметь ориентацию в пл о ско сти (111) ил и (100) и со д е рж а т ь скры-
тый n
+
- сл о й , имеющий выхо д на по верх но сть структуры ил и расположенный
только на дне изолированной области.
Условное обозначение КС Д И выражается др об ью, в числителе ко то рой первая
двузначная цифра означ ает диаметр структуры в мил л и ме тр ах , а после-
дующая двузначная цифра у казывает на толщину монокристаллической области
в микрометрах, вкл юч ая тол щ и ну n
+
- сло я , если он содержится в стру ктур е. По -
следующие буквенные обозначения в ч и сл и т ел е указывают на мар ку мо но кр и-
сталлического кремния и кристаллографическую ориентацию (в кру глы х скоб-
ках ). В квадратных скобках указывается наличие скрытого n
+
-слоя, вых одящего
на поверхность, и буквой Ф ил и М обо значается легирующая примесь (фосфор
или мы шьяк). Есл и скрытый n
+
-слой не имеет выхода на поверхность, эти
данные располагаются в круглых скобках. В знаменател е дроби первая трех-
значная цифра указывает на значение толщины структуры в микрометрах, за-
тем о б ще пр ин ят ы ми химическими си м в о л а м и обозначается вид ди эл ектр и ка и
допустимые пределы его толщины в микрометрах.
Пр имер условного обозначения
КСДИ 60 25 КЭФ 4.5(111) [n
+
- M]
300 SiO
2
l,5-3,5
Кремниевая стру ктура с диэлектрической изоляцией элементов диамет-
ром 60 мм, толщиной монокристаллических областей 25 мкм из кремния
марки КЭФ 4,5 с ор ие нт а ц ие й в пл ос ко ст и (111), содержащая выходящий на
поверхность n
+
-слой, легированный мышья ко м . То лщина структуры 300 мкм,
монокристаллические област и изолированы дву ок ис ью кре мния толщиной
1,5 - 3,5 мк м .
В технологии производства полевых транзисторов с управляющим пе ре -
ходом ме та лл - полупроводник ис п о ль зу ет с я арсенид га лл и я . Высокое
удельное с о прот ивл е ние нелегированного арсенида га л ли я позволяет созда-
вать полуизолирующие подлож ки микросхем.
Монокристаллический арсенид галлия.
Ус ловное обозначение монокриста ллического а рсенида галлия включает в
себя следу ющую информацию: сокращенное наименование материала ( бу -
квы АГ ), тип эле ктр о про во д ност и ( индекс ы: Э - электронный, Д - дырочный,
П - полу изолирующий), обозначение легиру ющего элеме нта (Т - те ллу р ,
О-олово, С - се ра , Ц - цинк), а та кж е гру ппы цифр, указывающих концен-
трацию ос нов ных но с ите ле й зар я да . При этом пе рва я цифра ил и группа
цифр является множителем, а вт ора я гру ппа цифр ( через дефис) - показа -
те ле м степени десят ичного по ря дк а . Арсенид галлия, выпускаемый для эпи-
та кс иа ль ных ст рукту р, имеет перед условным обозначением индекс Э.

Страницы