Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

9
окиси кремния и средняя пленка нит рида кремния толщиной 0,05 мк м ,
верхняя пленка дву ок ис и кремния толщиной 0,8 мкм.
Кремниевые эпитаксиальные структуры.
Для производства полупров однико вых ИМС широко ис пол ьзу ютс я эпитакс и-
альные кре мниев ые структуры. Кр ис та лл и чес кая структу ра эпитаксиального
слоя представляет собой высокосовершенный монокристалл. Если слой и под-
ложка изготовлены из о д но го и того же материала, та кая структура называется
эпитаксиальной. Есл и материал слоя отлича ется от материала подложки, струк-
тура называется гетероэпитаксиальной.
Пример услов ного обозначения однослойной эпитакс иаль но й структуры.
5 КЭФ 0,1
60-------------
200 КЭ С 0,01
Кремниевая эпитаксиальная структура диаметром 60 мм , с толщиной эпитакс и-
ального слоя 5 мк м ; мате р иал эпитаксиального слоя - кремний ма рк и КЭ Ф с
удельным сопротивлением 0,1 Ом см; толщина по д лож к и 200 мк м , подложка
из кремния ма рк и КЭС с удельным со п рот ив ле ние м 0,01 Ом·см.
Пр имер усло вного об о зна чения двухслойных кремниевых эпитаксиальных
структур
60 5 КДБ 0,03
80 КМД 2Б
50 КЭФ 5
Кремниева я эпитаксиальна я структура диаметром 60 мм, с толщиной верх-
него эпитаксиального слоя 5 мк м ; верхний эпитаксиаль ный слой из кремния
маки КДБ с удельным сопротивлением 0,03 Ом·см. Подложка толщиной 80
мкм из кремния ма рк и КМД (мо носила новый дырочный) группы 2Б. Нижний
эпитаксиальный слой толщиной 50 мкм из кремния ма рк и КЭФ с удельным со-
п рот ивле нием 5 Ом·см.
Часто для улучшения па рамет ров элементов по лу пр ов од н ико в ых ИМС меж-
ду эпитаксиаль ным слоем и подложкой вв одитс я так на зы вае м ый скрытый
слой.
Кремниевые эпит акси альные ст р ук т ур ы со ск р ыт ы м и слоями.
Пр имер условного обозначения
60 10 КЭФ 4,5/3,5 КЭС 25
320 КДБ 10 (111)
Кремниева я эпитаксиальная структура диамет ром 60 мм, с толщиной эпи-
таксиального слоя 10 мкм; ма те р и а л эпит аксиаль ного слоя - кремний
марки КЭФ с удельным с о прот ивле нием 4,5 Ом-см; толщина скрытого слоя
3,5 мк м ; скрытый слой представляет собой кремний, ле гирова нный сурьмой,
марки КЭС с поверхностным сопротивлением 25 Ом/кв; толщина эпитак-
сиальной ст рукту ры 320 мкм; подложка из кремния ма рк и КДБ с удельным

Страницы