Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

8
Усло вно е обозначение матер иала включ ает в себ я указание на гр уп пу ма-
рок или мар ку кр е мн и я (первые ци фра и бу ква), подгр уппу маро к (по следу ющ ая
ци фр а), по сле чего следу ет набор бу кв и цифр, раскрывающих ме то д по лу че ни я
кр е мн и я , ти п электропро водн ости , ле ги р у ю щ и й элемент, номин ал уд ельного со -
проти влени я, ди аметр слитка.
Примеры условного обозн ач ени я:
1.1А5 КДБ
7,5/0,1—
60
Кремний, полученный мет о до м Чохральского ( индекс К) дырочного типа
электропроводности ( индекс Д), ле гированный бором ( индекс Б), с удель-
ным сопротивлением 7,5 Ом·с м, диффу зионный длиной нос ителе й за ря д а
0,1 мм, диаметр слитка 60 мм.
2. 1А4 КЭ Ф 5/0,1
Кремний, полученный мет одо м Чохральского, элект ронного типа электро-
проводности (индекс Э), легированный фосфором (индекс Ф), с удельным
сопротивлением 5 Ом·см и диффу зионный длиной носителей за р яд а 0,1
мм.
3.
2Б 2 БКЭФ 25/0,2 -50
Кремний, полу че нный ме то д ом бест игельной зонной пл ав к и (индекс БК).
4. 2Г1 ГКЭФ
Кремний, по лученный мето д о м г арнисажной плавки (индекс ГК).
Если кр е м н и й электро нно го типа электропроводности легиру ется сурьмой или
мы шь яком, он о б о зн ач ается соответственно КЭС или КЭМ.
В целях у меньш ен ия заряда, накапливающ егося на границе раздела ме жд у
по вер хн о ст ью кр е м н и я и ди электр ич еским покрытием из двуокиси кремния, и
улучшения таки м образом параметров элементо в микросхем изготовляются кр ем-
ни евые структуры с комбинированным ди электр и ко м.
Кре мн и ев ые стру кту ры с ко мби н и р ован н ым ди э лек т ри к о м.
Стру ктур ы подобного типа пр ед ставляют собо й кр емни евые пластин ы-
под ло жки то л щ и но й 2 00 - 3 00 мкм и ди аметр о м 40 мм. Под ло жки с подготовленной
по вер хн о ст ью , отвечающей тр ебо ван иям технологии изготовления микросхем,
по кр ываю тся пленками ди электр и ко в: двуокисью кр емни я (SiО
2
) то л щ и но й от
0,05 до 0,35 мк м, нитридом кремния (Si
3
N
4
) толщиной от 0,05 до 0,35 мкм,
двуокисью кремния (верхняя пленка) толщиной от 0,5 до 1 мкм.
При ме р ус ловн ого об озн ач ен и я
ККД 0,8 SiO
2
0,05_Si
3
N
4
0,05 SiO
2
250 КЭФ 0,01
Кре мниевая структура с комбинированным диэлектриком, подложка
толщиной 250 мкм из кремния марки КЭФ 0,01, нижняя пленка дву -

Страницы