Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

7
Групповой мет од изготовления ИС - эт о своего ро да интеграция техноло-
гических процессов, т. е. объединение н едином времени технологических
процессов из гото вле ния сотен и тысяч ИС. Появ илас ь тенденция рас ширять инте-
грацию технологических процес сов , объединяя их в не пре р ыв н ы й процесс ,
проходящий в единой реакционной ка ме р е или в замкнутой многокамер-
ной системе. Уникальные ст рукту рные параметры и элект ричес кие харак-
теристики ИС дост игнуты в производственных условиях, характеризующихся
исключительно высокой технологической гигиеной, пользованием сложного
технологического оборудования, ос об о чистых химических ре акт ив ов .
Высокие требования предъявляются к чистоте производственных поме-
щений. В 1 л воздуха до лжно соде ржаться не бо лее трех пылинок ра зм ером 0,3
мкм и более. В об ычных условиях число пылинок обычно колеблется от 5000 до
1 000 000 в од ном литре воздуха. При возраста нии степени инт е гра ц и и ИС
требования к чистоте еще более повышаются. Для обес печения этих усло-
вий создаются специальные системы фильтрации воздуха на ос н ове мощ-
ных кондиционеров. На иболее ответст венные технологические участ ки
располагаются в та к на з ывае м ых чистых комнатах, организуемых по принци-
пу «ко м на та в комнате», что улу чшает герметизацию помещений. Из осо-
бых, нест ира ющихс я , материалов до лж ны изготавливаться ст ены, полы и
потолки. Важное значение имеет спецодежда работающего персонала,
которая должна быть изготовлена из материалов, не выделяющих пыле-
вых частиц.
Требования к производственным условиям при ис по ль зо ва ни и планарной
технологии суще стве нно выше те х, которые предъявляются при любом дру -
гом технологическом процессе . Учит ыва я эт у особенность планарной техноло-
гии, можно отметить, чт о для повышения выхода годных приборов боль-
шое значение приобретает автоматизация технологических процессов, по-
зволяющая минимально уменьшить числе нность персонала, снизить влияние
субъект ивных качеств опе рато ров , пров одя щих технологические процесс ы.
1.2. Кремн иевые структуры полупроводниковых интегральн ых мик росхе м
В производстве ИМС об ычно используются по луп ро вод ни ко вы е материал ы в вид е
мо но кр и сталл ич ески х сл ит ко в, имеющих фор му , бли зку ю к ци ли ндри чес кой. Размеры
слитков за ви с ят от ме то д а их выращивания и типа пол упр о вод ни ко вог о материал а
В насто ящее вр е м я наибольшее развитие получ или ИС на основе мо но кр исталл о в
кр емния. Выбор кр е м н и я обу сл овлен вы со ки м кач еством пл ен ки двуокиси кремния,
получаемой о т но си тел ьно пр осты м технологич ески м способом.
Монокристаллический кр емний. Промышленностью выпускается дл я производст-
ва интегральных микросхем и полупроводниковых пр иб оро в кр емний , получае-
мый мето д ами Ч охр ал ьско го , б е ст и г ел ьной зо нно й и гарнисажной пл аво к. Первый
мето д обеспечивает по луч ени е сл и т ко в с кр и сталл огр аф ич еской ориентацией
(111) и (1 00 ), а два других - с кристаллографической ориентацией (1 11 ).

Страницы