ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
ВВЕДЕНИЕ
Быстрыми темпами развивается элементная база радиотехники и радиоэлек-
троники. Традиционная радиоаппаратура представляла собой почти исключи-
тельно комбинации линейных и нелинейных электрических цепей. Сейчас ин-
тенсивно исследуются и внедряются в практику функциональные устройства и
системы, пр оизвод ящие обработку сигнал ов за счет специфич еских явлений в
твердых телах - полупроводниках, диэлектриках и магнитных матери ал ах .
Важнейшую ро л ь в современной жизни играют из д е лия микроэлектронной
тех н ол оги и. Быстродействующие интегральные микросхемы (ИМС) обуслови-
ли широкий переход к но вы м цифровым способам обработки и пр еобразования
радиосигналов, со з д а ни е но вы х вид о в связи, например, моб и л ьно й связи. По-
вышение эффективности производства радиоэлектронной аппаратуры, улуч-
шение её качества и надежности мо жет быть достигнуто ли шь на основе шир о
-
ко го применения ИМС.
Производство ИМС приводит к су щественному уменьшению массы, объема
(габаритов), сто имос ти РЭА, снижению потребляемой мо щно сти и повы-
шению надежности. Вы и гр ы ш по надежности резко увеличивается с увеличе-
нием сложности схемы. Групповая технология ИМС дает также выигрыш по
стоимости, ко торый значительно увеличивается с возрастанием степени ин те-
грации (количество элементов в одном кристалле). ИМС
часто используют
при создании устройств, мало чувствительных влиянию технологического
разброса параметров элементо в и к изменению температуры.
Знание основ микроэл ектро ники необходимо радиоинженеру дл я рациональ-
ного выбора и применения элементной базы при создании новой радиоэлек-
тронной аппаратуры (РЭА). Разработка ИМС представляет собой сложный
процесс. Во п ро сы расчета и выбора конкретного техн ол о гич еско г о процесса
создания ИМС решают с уч ето м особенностей разрабатываемой сх емы, воз-
мо жн о стей и ограничений, присущим различным спо собам изготовления.
Предл агаемое учеб но е по соб и е является об об щен и ем теоретического и спра-
во ч ного матер иала, ко тор ы й н еоб хо ди м дл я расчета и выб ора технол о гии из г о -
товления полупроводниковых ИМС. В нем представлены вопросы расчета ин-
тегральных элементо в полупроводниковых ИМС на биполярных тр анзисторах
и МДП стру ктур ах.
Большое внимание уд ел яется конструктивно-технологическим ограничениям
при разработке топологии ИМС на биполярных транзисто рах. Сп р авоч н ая
часть пособия со д е рж и т пр и мер технологического процесса изготовления по-
лупроводниковых ИМС, а также банк данных биполярных транзисторов.
Пособие пр едназначено для подготовки студентов специал ьности 2102.0165
«Проектирование и технология радиоэлектронных средств» различных форм
обучения.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
