Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

4
4.3. Расчет теплового режима ИМС......................................................... 54
ЗАКЛЮЧЕНИЕ................................................................................... 56
Приложение 1. Банк данных топологии ин т ег р ал ьны х биполярных
транзисторо в................................................................ 57
Приложение 2. Основные сведения об элементах структур
полупроводниковых ин тег р ал ьны х сх е м ........................ 63
Приложение 3. Основные операции технол о гич еско го маршрута и
изготовления структуры ИС на биполярных
транзисторах ................................................................. 65
Приложение 4. Виды и причины наиболее типичных дефектов на
опер ациях технологического мар шру та изготовления
полупроводниковых микросхем.................................... 73
Приложение 5. Конструктивно-техн ол о гич еские ограничения пр и
конструировании ИМС на биполярных транзисторах,
выполненных по планарно-эпитаксиал ьной технологии
с использованием изоляции р - n переходом.................. .80
Приложение 6. Типич ные характеристики интегральных
полупроводниковых резисторов.................................... 82
Б ИБ ЛИОГ РАФИЧЕСК ИЙ СП ИСОК ................................................. 83

Страницы