Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

3
Оглавление
Введение............................................................................................... 5
1.
ПРОЕКТИРОВАНИЕ ПО ЛУПР ОВОДНИ КОВЫ Х
ИНТЕГРАЛЬН Ы Х МИ КРО СХЕМ НА БИПОЛЯРНОМ
ТР АН ЗИ С ТОР Е
....................................................................................
6
1.1. Особенности и преимущества пл ан ар н ой технологии...................... 6
1.2. Кремниевые структуры полупроводниковых интегральных
микросхем..................................................................................... 7
1.3. Интегральный биполярный транзистор.......................................... . 12
1.4. Интегральные полупроводниковые резисторы................................. . 24
1.4.1. Классификация полупроводниковых резисторов и их
характеристики.............................................................................. 24
1.4.2. Расчет диффузионных резисторов................................................... .28
1.4.3. Расчет шир ины и длины резисторов................................................. 30
1.5. Интегральные полупроводниковые конденсаторы............................. 35
1.5.1. Конденсаторы на основе р-n перехода............................................... 35
1.5.2. Конденсаторы на основе МДП структуры..................................... ... 36
1.6. Интегральные полупроводниковые диоды......................................... 37
1.7. Расч ет топологических размеров д иф фу з ио нн ых перемычек............ ..38
2.
КО НСТРУКТОРСКО- ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ
Э Л Е М ЕН ТО В ИН Т ЕГР АЛЬ НЫ Х СХЕМ НА
МДП ТР АНЗИ СТОР АХ
.........................................................................
40
2.1. Конструкции и основные параметры МДП транзисторов................. .40
2.2. Резисторы на основе МДП структур............................................... 45
3.
ПРО ЕКТИР О В АН ИЕ ТО ПО Л ОГ ИИ ПО ЛУПР ОВ О ДНИ КО В Ы Х
ИН ТЕГР АЛЬН Ы Х МИ КРО СХЕМ. ..........
...............
.
..... ......................
46
3.1. Правила проектирования из ол ир о ванн ы х областей.......................... . 46
3.2. Правила размещения элементов интегральных микросхем на
площади кр исталла...........................................................................47
3.3. Разработка эскиза топологии............................................................48
4.
ГЕРМЕТИЗАЦИЯ ПО ЛУПР ОВОДНИ КОВЫ Х ИМС
.......................
50
4.1. Требования к защите инте г р ал ьн ы х микросхем................................... 50
4.2. Конструктивные исполнения бескорпу сных БИС................................ 52

Страницы