Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

10
с о пр от ив ле н ие м 10 Ом-см и кр ист ал л о гра ф и че с ко й ориентацией в плоскости
(111).
Кремниевые эпитаксиальные структуры с комбинированным диэл ек -
триком.
Кремниевые эпитаксиальные структуры данного типа имеют на поверхности
диэлектрическое покрыт ие, о бра зова н ное че ре ду ющ им ис я пленками дву ок ис и
(SiO
2
) и нитрида (Si
3
N
4
) кремния. Эпитаксиа льный слой может иметь тол-
щину от 0,5 до 3 мкм, конце нтрация примесе й в не м может составлять от
1,5·10
15
до 1, 5·10
16
см-
3
. Диэлектрические пленки имеют толщину: ниж няя (дву -
окись кре мния не пос ре дст ве нн о на эпитаксиальном слое) - от 0,05 до 0,3
мкм, средняя (нитрид кремния) - от 0,05 до 0,35 мкм, верхняя (двуокись
кремния) - от 0,5 до 1 мкм. Структу ры диаметром 40 мм имеют об щу ю тол-
щину 200 - 30 0 мк м.
Пример ус лов ного обозначения
КСКД 0,5 SiO
2
0,05 Si
3
N
4
0,05 SiO
2
2 КЭФ 1·10
16
250 КЭ С 0,01
Кремниевая эпитаксиальная структура с комбинированным диэлектри-
ком, по д лож ка толщиной 250 мкм из кремния марки КЭС 0,01, эпитакси-
альный слой толщиной 2 мкм из кремния КЭФ с концентрацией примеси
1·10
16
см
3
, нижняя пленка двуокиси кремния и средняя пленка нитрида
кремния толщиной 0,05 мк м , верхняя пленка двуокиси кремния толщиной
0,5 мкм.
Кремниевые гетероэпитаксиальные структуры.
Структуры данного т ипа представляют собой обычно са пфировую подложку
толщиной -250 мкм, на которой выращен гетероэпитаксиальный слой крем-
ния толщиной от 2 до 20 мкм (для кре мния n -типа электропроводности) ил и
0,6; 0,8; 1,2 мк м (для крем ния р -т ипа электропроводности). Кристаллографиче-
ская ориентация ге тероэпитакс иаль ных слоев - (100). Диа метр ст рукту р со-
ста вляет 40 ил и 60 мм.
Пример услов ного обозначения
КНС 0,8 КЭФ 40
60 С 250
Структура типа кремний-на-сапфире (КН С ) с гетероэпитаксиальным
слоем кремния т олщиной 0,8 мкм, электронного типа электропроводно-
ст и, легированного фосфором с удельным сопротивле нием 40 Ом·см. Под-
ложка из сапфира диамет ром 60 мм и толщиной 250 мкм.
Кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией элементов (КС Д И)
Кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией элемент ов м икр осхе м
пре дставляют собой по дл ож ку из поликристаллического кре мния , в которой по

Страницы