Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 29 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

28
Известно, что
где а - удельная электропроводность; е - за ря д электрона; n
р
, n
n
, µ
р
, µ
n
с оответ -
ственно концентрации и подвижност и дырок и электронов. При N
Д
>>N
А
,
т.е. ко гда концентрация доноров значительно больше концентрации а к це пто -
ров, справедлив о выражение
ρ
v
≈ ρ
nV
=(en
n
µ
n
)
-1
Аналогично пр и N
A
>> N
Д
ρ
v
≈ ρ
ρV
=(en
ρ
µ
ρ
)
-1
Так как S = Х
дн ф
*b, где Х
днф
- глубина (толщина) диффузионного слоя, яв ляю-
щегося те лом ре зист ора , a b - ши р и на тела резист ор а, то для д и ффу з и о нн о го ре-
зист ора можно за писать (1.18)
где ρ
v
- среднее удельное об ъе мное с опр от ив ле ние диффузионного слоя; 1и b -
длина и ширина участ ка поверхности, на котором проводилась диффузия.
От ноше ние p
v
/X
диф
обозначим че ре з p
s
, где p
s
- со пр от ивле н ие участка
диффузионного слоя определенной толщины, заключенного меж ду прот иво -
положными сторонами квадрата. Ра змерност ь p
s
- Ом и условно разме рность p
s
обозначают как Ом /.
Тогда ( 1 .1 8) пе ре п ише м как (1.19)
Та ким образом, чт об ы задат ь R, не об хо д им о за дать значе ния p
s
, I, b.
Запишем выражение дл я среднего у дельного объемного сопротивления
диффузионного слоя (легированного примесью р-типа)
P
v
=[eµ(N)·N(x)]
-1
, (1.20)
где µ( N) - усредненное по концентрации пр и мес и значение подвиж ности;
N(x) - усредненное по толщине д иффу з ио нн о го слоя значение конце нт рации
примеси.
Подсчит аем выражения µ( N) N( x)
µ(N) может быть аппроксимировано выражениями ( 1 .2 1) по рис. 1.11
µ(N) = µ
p0
при N ≤N
1
(1.21)

Страницы