Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 30 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Для типовых транзисторных стру ктур

Nk = N

=1 .5* 10

см

-3

, N

Sδ

=5*1 0

см

-3

С учетом выражения для N(x), получаемого при базовой диффузии

или

ил и

Поскольку

(X )

пр и мет окончательный вид

Подста вл яя (1.21 и ( 1 .2 2 ) в ( 1 .2 0) , полу чаем

Тогда