Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 32 стр.

UptoLike

Составители: 

31
после чего определяют (1.26)
где b и
l- - абсолютные по г р ешно ст и шир ины и длины резистивной полоски,
обусловленные точностью технологического процесса. Обычно эти погрешно-
сти составляют 0,05 - 0,5 мкм.
Ширина, определяемая мо щно стны ми характеристиками резистора, нахо-
дится из выражения (1.27)
Таким образом, из трех зн ач ений b
техн
, b
то ч н
, b
p
наибольшее и буд ет b
рас
Далее опр е-
деляют топологическую ши р ину резистора b
топ
,так как ее значение использует-
ся при проектировании топологического чертежа. Однако при определении
b
то п
,
учитывают изменения спроектированных размеров после изготовления рези-
сторов (у реального резистора ширина бо л ьше, чем у спроектированного), а
также во зможно сть упрощения самой процедуры проектирования, в частности,
b
то п
=
b
рас
- 2(
тр ав
+ ∆у), где
тр а в
- погр ешность, вно симая растравливанием
окон перед диффузией, в процессе фотолитографии; ∆у - погрешность, вно-
симая уходом диффузионного слоя под маскирующий окисел в боковые сторо-
ны;
трав
= 0,1-0,3 мкм; ∆у = 0,5-0,7 мкм.
Окончательно за b
то п
принимаются ближайшие к вычисленным целые зна-
чения, кр атн ы е шаг у координатной сетки.
Чтобы макси мал ьн о уменьшить погрешнос ть номинала резистора, опреде-
ляют реальную шир ину резистора b
реал
=
b
то п
+2 (
тр а в
+ ∆у ). По сле этого опр е-
деляют расчетную длину резистора (1.28)
l
рас
=
b
реал
*(
К
Ф
-nК),
(1 .28 )
где n - количество ко нтактных окон у резистора, об ы чно n = 2; К- поправочный
коэффициент, учитывающий сопротивление, обусловленное растеканием
электричес кого тока у ко нта ктных областей резистора. К определяется из
номограмм K(
L
1
/ b), K(L
2
/ b), K(b/L
2
) при заданных соотношениях L
1
:b и
L
1
:L
2
на рис. 1.12,а - г соответственно для иных конструкций ко н тактных об-
ластей резисторов; L
1
и L
2
- размеры ко нтактных областей (рис. 1.13 и 1.14).
Есл и резистор изогнут, либо имеет форму меандра, то его расчетная длина
определяется из соотношения
гд е
N
изг
- ко лич ество изгибов резистора под углом π /2; n- число ко нтактн ых окон