Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 64 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

63
Рис. П.2.1. Структура базового элемента ин тег р ал ьн о й схемы типа 155 ЛАЗ
Таб лица П2.1
Сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС
Элементы
структуры
Тип
прово-
димо-
сти
Основ ные
технологические
материалы
Толщина
элементов
(мкм) и её
обозначение
Уде льное
поверх-
нос т ное
сопро-
тивле-
ние, Ом/
Способ
формирования
Подложка из
монокрис тал-
лического
кре мния
Р
Очищенный мо-
нокристалличе-
ский Si, леги-
рующая примесь
Н1=325±25 -
Из слитка марки
КДБ 10, который
получа ют на -
пра вле нной кри-
сталлизацией на
за т ра в ку из объ-
ема расплава
Скрытый
слой
n Сурьма кри-
сталлическая
Н2=3,5±0,2 25±5 Диффузия
Эпитаксиаль-
ный слой
n SiCl
4
и Н
2
Н3=7,9±0,2 2500±5
Осаждение из
га зов ой фазы
(хлористый ме-
тол)
Разделитель-
ная область
Р
ВВr
3
Н4= 10±0,2 90±8
Диффузия (для
ИС), с оче тание
ионного легиро-
вания и диффу-
зии (для БИС)
Ба зов а я
область
р
*
р
**
ВВr
3
Н5=1,65±0,1
180±10*
110±10**
Диффузия (для
ИС), с оче тание
ионного легиро-
вания и диффу-
зии (для БИС )
Приложение 2.
Осно вные сведения об элементах структур полупроводниковых
интег
р
альных схем

Страницы