Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 65 стр.

UptoLike

Составители: 

64
Продолжение та блицы П2. 1
Эмиттерная
область
n
РО С
1
3
Н6=1,2±0,1 0,5 Диффузия
Слой
металлизации
-
Сплав
Al+l, 2% Si
Н7=0,6±0,1
1,0±0,1***
-
Нанесе ние в ва -
кууме, на при-
мер, методом
ионно-
пла зменного
распыления
Изолирую-
щий слой
SiO
2
-
Сухой О
2
-
пары воды
Н8=0,8±0,05* -
Термическое
окисление пла-
стин кре мния
Пассивирую-
щий слой
ФСС
- SiH
4
, PH Н9=0,7±0,05 -
Осаждение из
га зов ой фазы
(пиролиз)
Вертикаль-
ный слой **
n РОС1
3
Н10=6,8±0,2 45±5
Диффузия
SiO
2
межслойная
изоляция
n Si(OC
2
H
5
)
4
O
2
Н11=1,0±0,1 - Плазмохимиче-
ское осаждение
* дляИС
** для БИ С
*** для второго слоя металлиза ции