ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3 Фотолитография 1
для вскрытия окон
под диффузию сурь-
мы
а) подготовка поверх-
нос т и пластин;
б)нанесение фоторе-
зис т а (ФР)
в) сушка слоя ФР
г) совмещение и
экспонирование
д) проявление ФР
е) задубливание ФР
ж) травление SiO
2
з) удаление ФР
T, t, M
ж
3
С
4
, n
u
Вне ш ний вид,
лине йные
размеры
Фоторезист позитивный ФП-РН-7,
диметилформамид, гексаметилдисилазан
6
,
травильный раствор (для тра вления Si
O
2
),
раствор для проя вления (0,6%- на я
КОН), вода деионизованная марки А,
смесь Каро, спирт этиловый ректификова ный,
фильтр обе ззоле нный,
батист от беле нный мерсеризованный
Линия фотолитографии
«Лада-Электроника »
Смесь Ка р о - эт о смесь H
2
SO4 и H
2
O
2
2
Mr - расход га зов
3
М
ж
- расход жидких химических реактивов.
4
с - доза фоторезиста при нанесе нии.
5
n
ц
- число оборотов це н т р и ф у г и в минут у.
6
Гексаметилдисилазан - адгезив для фоторезиста
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
