ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Приложение 3
Осно вные операции технологического маршрута изготовления структуры ИС на биполярных тра нзисторах
(изделие 1 - 133ЛАЗ)
Таб л ица ПЗ
№
п/п
Операция
Контроли-
руемые па-
раметры
технологи-
ческой среды
Контролируе-
мые параметры
объекта произ-
водства
Материалы технологических и за щ ит н ы х сред
Технологическое
оборудование
1
Химическая обра-
ботка пласт ин крем-
ния (типа КДБ 10)
Время t об-
работки в
разных сре-
дах, те м пе -
ратура Т
технологи-
ческой сре-
ды (ТС)
Вне шний вид
пла ст ин после
очистки (по
количеству св е -
тящихся точек в
темном поле
микроскопа)
Толуол, смесь Ка р о
1
, перекисно-аммиачная
смесь, вода деионизованная марки А, кислота
фтористо-водородная, с пирт эт ил ов ый ре к т и -
фикова нный; батист отбеле нный мерсеризован-
ный
Линия «Лада - Электрони-
ка» для химической обра-
ботки; микроскоп, напри-
мер, типа НУ-2Е
2 Окис ле ние пла стин
кре мния (выращива-
ние Si
O
2
) по систе-
ме: сухой
O
2
-пары
воды - сухой
O
2
при Т= 1050 °С
T.t, М
г
2
Толщина окисла Кислород газообразный, азот газообразный, во-
да деионизова нная марки А, 10%-на я HF,
фильтр обе ззоле нный, ба т ис т от беленный мер-
се ризованный
Печь диффузионная типа
ДОМ, прибор для измере-
ния толщины окисла, на-
пример, эллипсометр
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 64
- 65
- 66
- 67
- 68
- …
- следующая ›
- последняя »
