ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ON
oo
Пр од ол жение 2 таблицы ПЗ
№
п/п
Операция
Контролир
уемые
параметры
технологич
еской
среды
Контролируе мы
е пара мет ры
объекта
производства
Материалы технологических и
за щ ит ных сред
Технологическое оборудование
6
Эпитаксиальное
наращ ивание слоя кремния
n - Si при Т= 1200°С
T, t, M
г
Толщ ина эпи-
таксиального
слоя, удельное
объемное
сопротивле ние
p
v
ПЛОТНО СТЬ
дислокаций
(дефектов
упаковки линии
с
к
ол
ьж
е
ния
)
Тетрахлорид кре мния, водород
газообразный, азот
газообразный, хлор
газообразный, травитель для
выявле ния дислокаций, вода
де иони зованная марки А,
батист отбе ленный
мерсе ризова нный
Уст а новка эпитаксиального
наращ ивания типа «Эпиквар»,
установка измерения удельного
объемного сопротивления
ЦИУС, многолучевой
интерферометр типа МИСС.
микроскоп типа
7
Окис ление пласт ин
кремния по системе:
сухой О
2
- пары воды -
сухой О
2
при Т=1100°С
Аналогично операции 2
8 Фотолитография 2 для
вскрытия окон под
диффузию бора (перед
формированием
разделительных областей):
а) - з) аналогично
Аналогично операции 3
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 67
- 68
- 69
- 70
- 71
- …
- следующая ›
- последняя »
