Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 82 стр.

UptoLike

Составители: 

Расстояние между ко нтактны м окном к ко л л екто р у и
областью разделительной ди ф фу з и и d
14........................................................................
10
Размеры ко нтактн о го окна к базе d
1........................................................................................
4x6
Размеры ко нтактного окна к эмиттеру d
16...........................................................................
4 х 4 или
3x5
Ширина области подлегирования n+- сл о я в
коллекторе d
17
............................................................................... 8
Ширина ко нтактн о го окна к ко лл екто ру d
18.......................................................................
4
Ширина резистора d
19......................................................................................................................................
5
Размеры окна вскр ытия в окисле...................................................2,5x2,5
Перекр ытие металл изацией контактных окон в окисле к
элементам ИМС d
20..............................................................................................................................................
2
Расстояние от кр а я контактного окна к р
+
- р аз д ели т ел ь ны м
областям для по д ач и смещения до кр а я области разделения d
21....................
6
Расстояние от кр ая ко н т а к т н о го окна к из ол ир о ван ны м
областям n-типа для подачи смещения до кр ая
области разделения d
22......................................................................................................................................
6
Шир ина д иффу з ио нной перемычки ................................................ 3
Размер окна в пассивирующем окисле d
23................................................................................
100x100
Расстояние от кр ая окна в пассивации до кр ая ко нтактн ой
площадки d
24
.................................................................................6
Расстояние между соседними резисторами d
25....................................................................
7
Расстояние межд у диффузионными и ионно-легированными
резисторами .................................................................................. 4
Расстояние межд у ко нтактно й площадкой и проводящей
дорожкой d
26......................................................................................................................................................................
20
Ширина скрытого n+- сло я.............................................................4
Расстояние межд у ко нтактн ыми площадками тестовых
элементов.....................................................................................40
81