Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 81 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

80
Приложение 5.
К онс трук ти вно-технологические ограничения при
конс труировании ИМС на би полярн ых тран зис торах , выполненных
по планарно-эпи такси альной техн о логии с использованием изоляции
р -n переходом
Та б лица П5
Минимально допустимые ра змер ы, мкм
Ширина линии скрайбирования слоя .................................60
Ра сст оя ние от це нт ра скрайбирующей по л ос ы до края
слоя металлизации ил и до края диффузионной област и.......... 50- 100
Размер контактных площадок для термокомпрессионной
прива рки п р ов од ник ов d
1
......................................................... 100x100
Ра сст оя ние меж ду контактными площа дками d
2................................................
70
Разме р ко нт акт ных пл ощ ад ок те стовых элементов рабочей
схемы ....................................................................................... 50x50
Ширина пр оводника d
3
:
при дл ине ≤ 50 мк м....................................................................4
при длине ≥ 50 мкм .................................................................. 6
Расстояние между провод никам и d
4
:
при дл ине ≤50 мкм.....................................................................3
при длине ≥50 мкм ...............................................................4
Ш и р ина област и ра здел ите ль ной ди ф фу з и и d
5........................................................
4
Ра сст оя ние от ба зы до об лас т и разделительной д и ффу з и и d
6
.. 10
Ра сст оя ние между краем облас ти подле гирования
коллекторного контакта и краем разделительной
области d
7
............................................................................... 10
Ра сст оя ние меж ду краем разделительной области и краем
скрытого n
+
-слоя d
8
................................................................... 10
Расст оя ние меж ду краем контактного окна в ок ис ле к
коллектору и крае м ба з ы d
9
....................................................... 7
Расст оя ние меж ду краем контактного окна в ок ис ле к
базе и крае м ба зы d
10
..................................................................3
Р асс тояние меж ду эмиттерной и базовой областями d
11.......................
3
Ра сст оя ние меж ду краем контактного ок на в окисле к
эмитт еру и краем эмитт ера d
12........................................................................................................
3
Ра сст оя ние меж ду контактным окном к базе
и эмиттером d
13
........................................................................ 4
Ра сст оя ние меж ду ба зов ым и област я ми, с формирова нными
в одном коллекторе................................................................. 9
Расстояние меж ду эмитте рными областями,
сформированными в одной базе............................................. 6

Страницы