Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 80 стр.

UptoLike

Составители: 

Пр од ол жение 6 таблицы П4
Оп ераци я Виды дефектов Причины дефектов При мечани я
Осаждение
меж слойно -
го диэлек-
трика и за-
щитно го
по крытия
Разброс по тол-
щине сл о я боле
е
допу сти мо го (а),
пу сто ты, ц ар апины,
каналы, кр ис тал л и
-
ческие вкл ючения,
инородные вклю
-
чения с размерам
и
бол ее до пусти мых
на ед иницу пло ща
-
ди пл астины (б)
Наличие по вы шенн ых темпер атурных градиентов на осаж -
даемой по верх но сти в процессе формирования данных
покрытий (а, б); несоблюдение техн ол ог и и (а, б); от-
сутствие ко н трол я чисто ты материал о в техно лог ич еских
сред(б)
Параметры, характеризующие изо -
лирующие и п ассивирующие свой-
ства диэлектрических по кры тий,
оценивают и с т ар ают с я их опти-
мизировать пр и отр або тке тех-
ноло гий осажд ения ди электрич е-
ских по крытий
Функцио-
нальный
контрол ь
микросхем
Функциональные
параметры ми к р о -
схемы не соо т ветс т -
вуют зада нны м по
технич еским усло -
виям
Пр оя вл ени е в при сутствии эл ектрического пол я эффекто в
типа: эле ктро ми грации частиц алюминия, дрейфа ионо в
инородных примесей туннелирования, разрастания
кристаллитов, например, алюминия, и др., приво-
дящих к утечкам тока в диэлектриках и р-n пере-
ходах, к проколу р-n переходов, разрывам развод-
ки в элементах, повышению ко н тактно го сопро-
тивления, ко ро тки м замыканиям межд у уровнями
металлизаци и и
др. По яв ле ни е структурных дефектов в
по лупро во дни ке в результате вл и я ни я градиентов темпе-
р атуры и мех анических н апр яж ен ий , что приводит к по -
явл ению до полни тел ьных энергетических уро вней в запр е-
щенно й зо не и соответственно к н еу пр а вл я е мо му измене-
нию про вод и мости, времен и жи зн и, генерации и ре-
ко мбинации но сител ей зар яд а
Дл я по вы ше ни я ка ч е с т в а го то вых
стру ктур микросхем обычно осу-
ществл яют межо пер ацион ный
(промежуточный) контрол ь (пр и
изготовлении структуры ИС ил и
БИС) по тестовым эл е мен т ам ми к -
ро сх емы, на ко торых из мер яют
ВАХ с при мен ени ем из мери тел ьных
установок, оборудованных спе ци -
альными зо ндо вы ми головка ми. По
виду ВАХ мо ж но не тол ько выяв-
лять и классифицировать дефекты,
но и судит ь
о настроенности и отра-
бо тан нос ти всего технологического
про цесса из гото вл ени я