Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 78 стр.

UptoLike

Составители: 

Пр од ол жение 4 таблицы П4
Опе ра -
ция
Виды де фе к т ов Причины де ф ек т ов Примечания
Ионное
легиро-
вание
крем-
ния с
последу
ющ е й
термо-
обра-
боткой
Локально амортизированные участки
в легированных областях (а); удель-
ное поверхностное с опрот ивле ние не
соответствует допуст имому (б)
Энергия ио нн ого пуч ка превышает требуе -
м
у
ю
(
а
)
, до за обл
у
че ния и плот нос ть тока
ионно го п
у
чка не соответств
у
ю! доп
у
стимым
значениям (б)
Другие дефекты, на пример, скопле-
ния ва канс ий, дисл окации и т.д.
обнаруживают с помощью электрон-
ной микроскоп ии либо рент ге ност -
руктурного анализа на эт а пе отработ-
ки технологических режимов ионного
легирования
Вакуум-
ное на -
пыление
слоя ме -
таллиза-
ции
Разброс по толщине слоя металлиза-
ции и p
s
не соответствуют допусти-
мым (а), структура пле нки не соот-
ветствует эталонной (б), адгезионна я
прочность менее доп устимой (в);
пятна, разводы, инородные вклю-
че ния, п устоты, ца рап ины с ра з-
мерами более до пусти мых на
едини цу площади пластины (г)
Наличие за г
р
язне нии и де
ф
ектов на пласт ине
перед напыле нием (а, б, в, г), остаточное давле
-
ние в
р
абочей каме
р
е выше доп
у
стимого
(
а, б
,
в), наличие гра дие нт о в температуры по пове рх
-
нос ти пла ст ины
(
а, б, в
)
; не о п т и м а ль н о выб
р
ан
а
скорость оса жде ния (а. б, в), не о пти маль -
ны эне
р
гия и плотнос ть молек
у
ля
р
ного поток
а
(а, б. в, г)
Причины появления дефектов при
вакуумном на пылении мо гут также
быть связаны со способом перенос а
материала металлизации и специфи-
кой конст рукции ра б о ч е й камеры