Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 77 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

Пр од ол жение З таблицы П4
Операция Виды де ф е кт о в Причины дефектов Примечания
Терми-
ческое
окисле-
ние
пла ст ин
Толщ ина окисла не соответствует
за дан ной (а); нали чие матовости в
пле нках Si
O
2
(б), на личие разводов,
инородных включении (в)
Нарушение температурно-временных ре ж и м о в
процесса окислен ия (а), повыш енная де-
фектность исходной пла стины (б, в); несо-
блюдение чистоты проводимого процесса (в ча-
стности, технологической среды) (б, в)
Другие дефекты, например, повышен-
ную пористость, недопустимые элек-
трофизиче ские характеристики гра ни-
цы раздела
Si -Si
O
2
:, линии скольжения, коробле-
ние пластин контролируют и устраня-
ют на эт а пе отработки технологиче-
ского процесса
Фотоли-
тография
по слою
SiO
2
Несовмещение топол о гического
рисун ка более доп устимо го (а); на -
рушения геометрии топологиче ских
элементов более д опус т имых (б),
наличие не дот равленных участков Si
O
2
в зона х травления (в); налич ие мак-
родефектов (цара пин и др.) в слое Si
O
2
(г), растра вливание краев окисла (ши-
рина клина травления ) более допус-
тимого (д), уход ли ней ных разме ров
топологических элементов более до-
пус тимого (е), воспроизводимость
размеров контролируемых элементов
не соответствует заданной точности (ж)
Сбой в раб оте системы ко нтроля точности
совмещения (либо ошибка оператора) (а), де-
фекты фотошаблона либо загрязнения (б, в,
г), на руш ение технологии процесса т равления
(б, в, д); недопустимо большой за зор между
фотошаблоном и пластиной (д, е); наруше-
ние режима проявле ния (д, е), недостаточная
адгезия фоторезиста к плас тине (е, ж); разброс
по
толщине слоя фоторезиста более допусти-
мого (ж), п остор он ние вк л ючен ия в слое
фоторезиста (в, е, ж)
При температуре задубливания более
145 °С в слое фоторезиста происходят
термореактивные пре вращения, в
результате кот оры х он теряе т
способность растворяться в органи-
ческих растворителях, что усложня-
ет удаление ис пользова нной маски

Страницы