Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 75 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

Пр од ол жение 1 таблицы П4
Операция Виды де ф ек т ов Причины дефектов Примечания
Полиро-
вание
пла ст ин
Геометрические па ра мет ры пла-
стин (диаметр, т олщ ина, дли-
на базово го среза, непа ра л-
лельность сторон, плоскост-
нос ть, прогиб) не соответст-
вуют допус тимым (а), отклоне-
ние от кристаллографической
ориентации более допуст имого
(б); количество и суммар ная
дли на рисок более доп усти-
мых (в); количество частиц за-
гря зне н ий на пластине бо лее
допус тимого (г)
Из нос по ли рова ль н ика более
допус тимого; неплос кос тност
ь
устано вки по ли рова льн ика
(либо план -шайбы ) бо лее до-
пус тимой (а, б); внесение ино-
родных частиц и пузырьков воз
-
духа под пластину при ее на -
кле ивании на план-шайбу (а, б),
наличие уп лот ненны х за гря з-
нений на по ве рх но сти поли-
ровальника (а, б
)
; нестабильност
ь
(сниже ние) температуры при фи
-
нишном полирова нии (в); нали
-
чие структурных нарушений (г)
Структурные на руш ения, вносимые абразивной обработ
-
кой (поверхностный рельеф, т рещины, пластически де ф о р
-
мированные области и т.д.), выявляются и минимизи
ру
ют с
я
на этапе отработки данной технологической операции. Ше
-
роховатость поверхности пла ст ин после финишного (хими
-
ко-механиче ского) полирования составляет ме нее 0,05 мкм
Хим
иче с
кая
об-
ра-
бот-
ка
пла -
стин
Остатки загрязнении в виде ра з -
водов, пятен, подтеков и т.д. (а);
количество точечных инород-
ных включений (в том числе
адсорб ирова нны х) более до -
пус т им о го (б ), кол ич еств о
гидроф обных за гря зне н ий бо -
лее допус т имого (в)
Нар уше ние ре жи мов фи -
нишной пром ывки проточно й и
деионизованной водой и
сушки пласт ин (а); нека че -
ст венна я отмывка в кислотны
х
моющих растворах (б); нару-
ше ние реж имов оч истки в
непо ляр ном ор ган ическ ом
растворителе и пр омежуто ч-
ной промывки (в)
Степень чистоты поверхности пласт ин после очистки в усло-
виях производства определяется количеством светящихся
точек в поле зрения мик роскопа( обыч но в темном поле
при косом
ос вещ е нии); наличие жировых) ( гидрофо бных) за гря з не -
ний оце нивают по времени смачиваемости (либо углу
смачивания) поверхности пла ст ины. Очист ка - многократно
повторяющаяся операция на разных этапах изготов
ле ния микросхем, поэтому оч истительные среды мо гут
быть
разными в зависимости от типа загрязнений, вносимых и
остающихся а предыдущей опера ции

Страницы