Проектирование и технология микросхем. Романова М.П. - 76 стр.

UptoLike

Составители: 

Пр од ол жение 2 таблицы П4
Операция Виды де фе к т ов Причины де ф ек т ов Примечания
Диффузия
примесей в
кремнии
Ве личина боковой диффузии более до-
пус тимой (а), наличие эрозии (б); не-
равн омер ност ь диффу зио нн ого
фронта по глубине более допус тимой
(в); образование промежуточных фаз
на поверхности диффуз ионных об-
ластей (г); значения p
s
,x, и их разброс
по плас тине не соответствуют допус-
тимым (д)
Скопле ние дислокаций в при поверхностном
слое (а, в, д), завыше ние расхода диффу-
за нт а в технологической среде при отсутствии
кислорода (б, в, г); не оптимальный те м пер а -
турно-време нно й режим про цесса диф-
фузи и
На границах диффу зио нных облас -
тей пр и высок ом ур овне ле гиро -
вания возможно появле ние некон -
турных дислокаций несо-ответствия,
краевые и винтовые дислокации
возможны, если уровень напряжений
кристаллической решетки (из-за раз-
личия размеров атомов примес и и
пол
у
п
р
оводника
)
п
р
евышает п
р
еде
л
текучести материала, микродефекты и
линии скольжения выявляют селек-
тивным травлением и определяют их
среднюю плотн ость по подсче там
числа микродефектов в нескольких
полях з
р
ения мик
р
ос к о п а; ст
ру
кт
ур
ны
е
дефекты обычно выявляют и миними-
зируют пр и отработке технологиче-
ского процесса
Эпитакси-
альное на -
ра щивание
слоя крем-
ния
Плотн ость дефектов упаковки и
дислокаций более до пуст имой (а),
значен ия р, и то лщины эпитакси-
ально го сло я не соответств уют до-
пус тимым (б)
Наличие на поверхности пласт ины различно-
го рода за грязне ний, меха нических нарушений ,
и т.д. (а, б), кристаллографическое несоответ-
ствие разная степень легирования пластины и
э пит акс иал ь но й пл е н к и, а также высокий уро-
вень механических и термических на пряжений
(а, б); несоблюдение ре ж и м а процесса
эпитаксии (а,б)