ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Пр од ол жение 5 таблицы П4
Опе ра -
ция
Виды де фе к т ов Причины де ф ек т ов Примечания
Фото-
лито-
гра ф ия
по
слою
метал-
лиза-
ции
Геометрические ра зм е р ы проводящих
элементов не со отв етствуют до-
пус тимым (а), "перемычки" ме жд у
элементами металлизации (не дот рав-
ле нные участки) с ра зм е р ам и более
доп устим ых (б), нес овмещ е ние
элементов металлизации с контактны-
ми ок нами и другими элеме нтами
структу ры м ик росхе мы более до-
пус тимого (в), пустоты или царапины
с размерами более допустимых на эле-
ментах металлизации (проводящих
дорожках, контактных
площадках и
т.д.) (г), признаки коррозии отслаива-
ния элементов металлизации(д)
Нарушение режима задубливания фоторезиста
(не д ост ат о чна я его адгезия к проводящему слою)
(а): неправильное с оотнош ение компонентов в
травителе либо нарушение режима травле ния (а,
б);протека ние э ле ктрохимических процессов в
системе А1 - Si - травитель (д); некачественное
проявление (а, г); дефекты фотошаблона (а, б,
г); уве личение ме жоперационного времени хра-
нения (д), на личие локальных загряз нении и
инородных
включений, внесенных на на ч а ль н ы х
операциях фотолитографии и (или) перед на-
пыление м проводящего слоя (д), отсутствие
должного контроля то ч но с т и совмещения (в)
При выполнен ии фотолитограф ии
особое зна чение имеет чистота ат-
мосферы производственного помещ е-
ния. Требуется (не хуже 10 или 100
классов чистоты, та к как осаждение
загрязнении (посторонних ча ст иц ) из
атмосферы на объект производства и
фотошаблон приводит к пе р е н ос у и
суммированию дефектов после экс-
понирования фоторезиста и до заве р-
ше ния технологического цикла
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 77
- 78
- 79
- 80
- 81
- …
- следующая ›
- последняя »
