Сборка и монтаж интегральных микросхем. Романова М.П. - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

15
сварки: частота 60 ÷ 80 кГц, давление 20 ÷ 450 Н/мм
2
, амплитуда колебаний 0,5
÷ 2 мкм. Свариваемые детали должны быть чистыми, не иметь грубых дефек-
тов. Интенсификации процесса УЗ сварки способствует косвенный импульсный
нагрев инструмента (комбинированная сварка). При этом повышается проч-
ность соединения при меньшей деформации выводов, можно соединять между
собой трудно свариваемые детали. Недостатком УЗ сварки является необходи-
мость высокой пластичности материала проводника, так как его относитель-
ная деформация в месте сварки обычно составляет
40 ÷ 60 %.
Применение УЗ микросварки позволяет осуществлять присоединение
алюминиевых балочных выводов. Однако при использовании сварочного инст-
румента для одновременного присоединения всех выводов БИС вследствие
разнотолщинности и неплоскостности поверхности коммутационной платы на-
блюдается нестабильность прочностных свойств микросварных соединений. Кроме
того, такие соединения имеют низкую ремонтопригодность, так как при замене кри-
сталла БИС повторная сварка осуществляется на уже использованной контактной
площадке коммутационной платы, что резко снижает надежность микросварного со-
единения.
Находит применение сварка косвенным импульсным нагревом (СКИН) рабочей
зоны, который осуществляется только в момент сварки за счет импульса тока непо-
средственно через рабочий инструмент, и сварка сдвоенным (расщепленным) инст-
рументом. Оба эти способа являются разновидностями термокомпрессии, в момент
сварки к контактному узлу прикладывается усилие сжатия.
При сборке многокристальных микросборок и модулей существенной становится
проблема обеспечения достаточно низких рабочих температур активных элементов
кристалла БИС. В зависимости от мощности рассеяния используемых БИС приме-
няют воздушное или водяное охлаждение. Интенсивность теплоотвода от активных
элементов БИС в значительной степени определяется способом установки кристалла
на коммутационной плате. Тепловой поток интенсивнее отводится при монтаже кри-
сталла лицевой стороной вверх, что связано с большей, чем при расположении лице-
вой стороной вниз, площадью контактирования БИС с коммутационной платой.
1.4. Монтаж на гибких и жестких выводах
Различают монтаж на гибких и жестких выводах или проволочный и беспрово-
лочный монтаж. Под монтажом на гибких выводах понимают получение электриче-
ских соединений контактных площадок, расположенных в периферийных областях
кристалла, с выводами корпуса, платы или балочными (ленточными) выводами носи-
теля с помощью гибких проволочных выводов.
Монтаж на жестких выводах – это электрическое соединение контактных площа-
док кристалла с выводами корпуса, платы или ленточного носителя с помощью шари-
ковых или столбиковых выводов.
Проволочный монтаж является трудоемкой операцией: чем больше проволочных
соединений в микросхеме, тем ниже ее надежность в процессе эксплуатации. Матери-
ал проволоки должен образовывать механически прочный, с низким значением пе-
реходного сопротивления контакт с материалами площадок кристалла и носителя

Страницы