Сборка и монтаж интегральных микросхем. Романова М.П. - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

27
Резка выполняется алмазным диском, в промышленности нашли применение
также резка лазерным лучом и химическое травление.
Качество при надрезании полупроводниковых пластин определяется необходи-
мостью обеспечения требуемой глубины резки, минимальной величины сколов
(сколы не должны выходить за пределы полосы скрайбирования), расположения
реза в пределах скрайбирования по осевой линии.
В ТП первая контрольная операция имеет место только после операции ломки
пластины на кристаллы, оценивается суммарный процент выхода годных после
всех проведенных перед этим операций. С точки зрения сокращения потерь пер-
спективна сквозная резка с использованием транспортных систем в виде адгезион-
ных пленочных носителей, позволяющих транспортировать прорезанную насквозь
пластину. При этом выход годных изделий за счет ликвидации операции ломки
увеличивается с 93 до 96 %.
Присоединение выводов методом ультразвуковой (УЗ) сварки проводится в
специально подобранном оптимальном режиме. После сварки контролируют внеш-
ний вид соединений, проверяют соответствие разваренных проводников чертежу,
выполнение требований по дефектам топологии кристалла, в том числе в части
расположения металлизированных дорожек, отсутствие отслоения выводов от КП
кристалла.
Измерение статических и динамических параметров ИМС, проверку функцио-
нирования, электротермотренировку проводят с помощью специальной системы
функционального и параметрического контроля на установках "Викинг-256", "Ви-
зир-1" и на динамическом стенде ВЧ контроля функционирования с помощью ав-
томатизированных испытательных систем "Визир-1". "Элекон-Ф-ЗУМ". Контро-
лируют время задержки по выбранным выходам по испытательным программам,
индивидуальным для каждого типа ИМС (БИС). Структура испытательных про-
грамм строится в соответствии с требованиями, заложенными в ТУ на ИМС, и, как
правило, включает:
а) программу проверки контактирования, обрывов и замыканий периферийных
входов и выходов;
б) контроль статических параметров (I
вх
, I
потр
, U
вых
и др.);
в) контроль функционирования (логики);
г) контроль времени задержки, быстродействия.
3.2. Сборка бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем
Они предназначены для эксплуатации в составе микросхем и микросборок, ячеек
и блоков МЭА, подвергающихся общей герметизации. Бескорпусную герметиза-
цию полупроводниковых микросхем проводят после пассивации поверхности кри-
сталла пленками окисла кремния, боро - или фосфоросиликатного стекла. Для бес-
корпусной герметизации используют кремнийорганические эпоксидные эмали,
фосфоросодержащие лаки, эпоксидные компаунды. Эмали и лаки наносят на одну
рабочую сторону кристалла, компаунды – на обе стороны и на боковые грани.
Толщина герметизирующего покрытия 200 ÷ 400 мкм. Как правило, бескорпусные
микросхемы имеют прямоугольную форму, что целесообразно для оптимального

Страницы