Сборка и монтаж интегральных микросхем. Романова М.П. - 73 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

73
Размер Н зоны теплового влияния рассчитывается по формуле
hH
⋅=
δ
, (8.5)
где δ – приведенная толщина теплопроводящей структуры в конструкции ГИС
или МСБ; h – коэффициент, определяемый по графику рис. 8.2 в зависимости от
температурного β
Т
и геометрического α факторов.
Приведенная толщина в зависимости от конструкции микросхемы (рис.8.2)
определяется следующим образом.
Для варианта 1
Н
δδ
=
.
Для варианта 2
Н
П
КП
λ
λ
δδδ
⋅+=
.
Для варианта 3
+⋅⋅++=
П
К
К
П
ПККП
λ
λ
λ
λ
δδδδδ
22
.
Для варианта 4
{}
21
,max
δδδ
=
,
где
+⋅⋅++=
П
К
К
П
ПККП
λ
λ
λ
λ
δδδδδ
1
1
1
2
1
2
1
,
22 К
δδ
=
.
Температурный фактор
доп,,
,,доп,,
CRн
CRнCRн
Т
T
TT
−
=
β
,
где T
н,R,C
и T
н,R,Cдоп
– расчетные и допустимые, температуры навесных компонен-
тов и пленочных резисторов и конденсаторов.
Геометрический фактор представляет собой отношение α=A/β, где А – мень-
ший размер контура тепловыделяющего элемента или компонента (см. рис.8.2).
В зоне теплового влияния элемента или компонента не рекомендуется раз-
мещать другие элементы или компоненты. Если это требование невозможно вы-
полнить, то при расчете следует учитывать соответствующее повышение темпе-
ратуры вследствие влияния соседнего элемента или компонента.
8.3. Оценка теплового режима полупроводников ИМС
Поскольку кремний имеет сравнительно высокий коэффициент теплопровод-
ности, размеры кристаллов невелики, а элементы полупроводниковых ИМС рас-
положены на очень малых расстояниях друг от друга, с достаточной для инже-
нерной практики точностью можно считать, что «рабочая» поверхность кристалла
ИМС со стороны расположения элементов имеет одинаковую температуру во
всех точках.

Страницы