Сборка и монтаж интегральных микросхем. Романова М.П. - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

71
где δ
П
– толщина платы; λ
П
– коэффициент теплопроводности материала платы,
Вт/(см-град).
Для вариантов 2 и 3
ККППТ
R
λδλδ
+=
,
где δ
К
и λ
К
– толщина и коэффициент теплопроводности клея (компаунда).
Для варианта 4
21
21
ТТ
ТТ
Т
RR
RR
R
+
⋅
=
,
где
111 ККППТ
R
λδλδ
+=
,
22 ККТ
R
λδ
=
.
Данные о коэффициентах теплопроводности некоторых материалов приведены
в таблице 11 приложения.
Температура пленочных резисторов и конденсаторов рассчитывается в соответ-
ствии с выражением
СРОКР
П
T
CR
T
CRCR
T
S
R
P
S
R
PT
.0
,
,,
+⋅+⋅=
, (8.2)
где P
R,C
– мощность, выделяемая резистором или конденсатором;
S
R,C
– площадь, занимаемая резистором или конденсатором на плате. Если навес-
ной компонент расположен на пленочном резисторе (что допускается условиями
разработки топологии ГИС и МСБ), то расчет температур компонента и резистора
производится следующим образом:
СРОКР
П
Т
R
T
R
Н
Т
ВНТНН
T
S
R
P
S
R
P
S
R
RPT
.0.
)( +⋅+⋅++⋅=
; (8.3)
СРОКР
П
Т
R
Т
RНR
T
S
R
P
S
R
PPT
.0
)(
+⋅+⋅+=
. (8.4)
Рассчитанные по формулам (8.1) – (8.4) температуры компонентов и элементов
не должны превышать допустимые. Допустимые температуры для бескорпусных
кремниевых транзисторов, диодов и полупроводниковых микросхем указываются в
справочниках и составляют обычно 80 ÷ 125°С.
Если рассчитанные температуры превышают допустимые, необходимо заменить
навесные компоненты на другие, имеющие более высокий температурный предел
работы. Допустимые температуры пленочных элементов зависят от применяемых
материалов и требований к стабильности параметров

Страницы