ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
77
туры (p-n-переходы, диэлектрические пленки, металлизация), возможно исполь-
зование комбинированных физико-статистических моделей.
Для гибридных ИМС и МСБ, изготавливаемых на основе большего разнооб-
разия материалов, технологических процессов и с применением самых различных
навесных компонентов, в настоящее время возможно применение лишь статисти-
ческих моделей.
9.3. Оценка интенсивности отказов полупроводниковых ИМС.
Суммарная интенсивность отказов λ
пимс
складывается из интенсивностей отка-
зов основных конструктивных элементов полупроводниковых ИМС:
СВСККРПИМС ..
λλλλ
++=
, (9.1)
где λ
кр
– интенсивность отказов кристалла с полупроводниковыми элементами
ИМС; λ
К.С
– интенсивность отказов контактных соединений в пределах кристалла,
т. е. контактов металлизации с полупроводниковыми областями; λ
В.С
– интенсив-
ность отказов внешних соединений кристалла с выводами корпуса.
Рассмотрим возможности расчета отдельных составляющих, входящих в вы-
ражение (9.1). Интенсивность отказов кристалла рассчитывается с учетом влияния
факторов конструктивного, производственного и эксплуатационного характера.
Сюда же условно включается показатель надежности корпуса, поскольку его не-
герметичность отражается на состоянии поверхности кристалла.
Таким образом, для кристалла интенсивность отказов оценивается согласно
выражению
ТМСПКККРКР
ααααααλλ
⋅⋅⋅⋅⋅⋅=
211
,
где λ
кр1
– базовая интенсивность отказов; α
к1
– коэффициент, учитывающий жест-
кость технологического контроля в процессе производства; α
к2
– коэффициент не-
надежности корпуса; α
П
– коэффициент освоенности производства; α
С
– коэффи-
циент сложности кристалла; α
М
– коэффициент, учитывающий характер и интен-
сивность механической нагрузки в процессе эксплуатации ИМС; α
Т
– температур-
ный коэффициент.
Базовая интенсивность отказов составляет величину примерно
λ
кр1
=10
-9
ч
-1
.
Коэффициент жесткости технологического контроля определяется по
таблице 11 приложения.
Надежность корпуса оценивается в зависимости от его конструкции. Для ме-
таллостеклянных и металлокерамических корпусов при дополнительной индиви-
дуальной герметизации кристаллов
)10(05,01
2
−⋅+=
N
К
α
, где N – количество
выводов корпуса.
Если кристаллы, установленные на основание корпуса, не подвергаются инди-
видуальной дополнительной герметизации, то
)10(05,04
2
−⋅+=
N
К
α
. Для поли-
мерных корпусов
)10(05,06
2
−⋅+=
N
К
α
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 75
- 76
- 77
- 78
- 79
- …
- следующая ›
- последняя »
