Сборка и монтаж интегральных микросхем. Романова М.П. - 79 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

79
9. 4. Оценка интенсивности отказов ГИС и МСБ.
Интенсивность отказов представляют в виде суммы интенсивностей отказов
элементов, компонентов и соединений:
[]
∑
∑
=
=
⋅+⋅++++⋅++
+⋅⋅+⋅⋅+⋅⋅+⋅⋅+=
КОМП
ПИМС
N
j
КОМПКОМППИМСПИМСCRДТСОЕДКОМПj
N
i
CCCRRRДДДТТТПИМСiГИС
nNnNNNNN
NNNN
1
1
)(23
λλ
αλαλαλαλλλ
где λ
ПИМС
, λ
Т
, λ
Д
, λ
R
, λ
C
, λ
КОМП
, λ
СОЕД
– интенсивности отказов бескорпусных полу-
проводниковых ИМС, транзисторов, диодов, пленочных резисторов, конденсато-
ров, пассивных навесных компонентов и соединений соответственно; N
ПИМС
, N
Т
,
N
Д
, N
R
, N
C
, N
КОМП
– количество бескорпусных полупроводниковых ИМС, транзи-
сторов, диодов, пленочных резисторов, конденсаторов и пассивных навесных
компонентов соответственно; n
ПИМС
, n
КОМП
– количество выводов бескорпусных
полупроводниковых ИМС и пассивных навесных компонентов; α
Т
, α
Д
, α
R
, α
C
– ко-
эффициенты режима работы (температурные коэффициенты) транзисторов, дио-
дов, пленочных резисторов и конденсаторов соответственно.
Для расчетов рекомендуется принимать следующие типичные значения интен-
сивностей отказов:
Интенсивность
отказов
λ
Т
λ
Д
λ
R
λ
С
λ
СОЕД
Типичные
значения, ч
-1
10
-8
0,6·10
-8
10
-9
0,5·10
-8
10
-9
Интенсивность отказов пассивных навесных компонентов зависит от типа
компонента. В качестве примера приведем следующие значения (таблица 14
приложения).
Коэффициенты режима работы зависят от температуры, их рекомендуемые
значения приведены в таблице 15 приложения.
Как видно из таблицы 15, пленочные конденсаторы имеют пониженную на-
дежность при высокой температуре. Это объясняется ускорением процессов ми-
грации атомов материалов обкладок по микродефектам в диэлектрике, что приво-
дит к повышению токов утечки или к пробою.

Страницы