Сборка и монтаж интегральных микросхем. Романова М.П. - 81 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

81
При использовании трехуровневой металлизации для расчета выхода годных
делается допущение, что дефектами поражаются места пересечений дорожек вто-
рого и третьего уровней. Выход годных в этом случае составляет
[
]
СОЕДСОЕДКРСОЕД
dhmBSP
⋅⋅⋅+⋅−=
)1.0(exp
22
,
где m – количество выводов от элемента на второй и третий уровни металлизации;
h – ширина дорожки металлизации.
Затраты на сборку кристалла в корпусе складываются из следующих
составляющих:
MCCCC
МОНТСБКОНТРСБКСБСБ
⋅++=
...
,
где С
сб.к
– затраты, не зависящие от сложности кристалла БИС (стоимость корпуса
и пр.); С
сб.контр
– стоимость отбраковочных контрольных операций перед поступ-
лением кристаллов на сборку (считается, что на сборку поступают только годные
кристаллы); С
сб.монт
– стоимость электрического монтажа кристалла в корпус в
расчете на одну внешнюю контактную площадку; М – количество внешних кон-
тактных площадок на кристалле БИС.
Количество внешних выводов БИС с неоднородной логической структурой
может быть оценено по формуле
ЭЛ
NM
⋅≈
5.4
. Для микросхем с высокой функ-
циональной однородностью
3
2
5.3
ЭЛ
NM
⋅≈
.
Выход годных на сборочных операциях составляет
М
МОНТСБСБ
PPP
2
⋅=
∗
,
где Р
сб
– выход годных на операциях, слабо зависящих от размеров и сложности
кристалла БИС (припайка кристалла к основанию корпуса, герметизация корпуса
и т. п.); Р
монт
– выход годных на операции создания соединения контактной пло-
щадки с выводом (термокомпрессия и т. п.).
Рассмотрение соотношения (10.1) и входящих в него составляющих позволяет
сделать следующие выводы, которые необходимо принимать во внимание при
разработке конструкций полупроводниковых БИС. Для уменьшения удельной
стоимости БИС конструкции элементов должны обеспечивать их минимальную
чувствительность к дефектам типа проколов в окисле. Площадь, занимаемая до-
рожками межсоединений, а также количество внутренних контактных соединений
дорожек с элементами и количество внешних контактных площадок должны быть
минимальными.
На рис. 10.1 представлены расчетные зависимости удельной стоимости полу-
проводниковой БИС от количества элементов и их выхода годных при постоян-
ной площади кристалла S
кр
= const. Как видно из рисунка, существуют интервалы
оптимальных значений количества элементов для определенных величин выхода
годных, при которых удельная стоимость БИС минимальна.
Удельная стоимость БГИС может быть определена по формуле
⋅
++⋅=
КОМП
СБ
ПЛКОМП
СБ
Г
N
МС
СC
P
C
1
0
, (10.2)
где С
комп
– стоимость навесного компонента и затраты на его установку на плате;
С
пл
– удельная стоимость платы в расчете на один компонент; С
сб
– удельные за-

Страницы