Сборка и монтаж интегральных микросхем. Романова М.П. - 78 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

78
Влияние освоенности производства учитывается коэффициентом α
П
, который
для первого года производства принимается равным 10, а для последующих лет
снижается до α
П
= 1.
Сложность кристалла полагают зависящей от его активной площади (т. е. заня-
той элементами и межсоединениями без учета внешних контактных площадок и
технологического поля по периферии кристалла). Коэффициент сложности рас-
считывается по формуле
S
C
1.05.0
+=
α
,
где S – количество единиц (квадратных миллиметров) площади кристалла.
Коэффициент механической нагрузки на кристалл зависит от условий эксплуа-
тации и принимается согласно данным таблице 12 приложения.
Коэффициент α
Т
определяется в зависимости от температуры элементов кри-
сталла Т
эл
согласно следующим данным:
Температура элементов Т
эл
о
С 25 60 80 100 125
Коэффициент α
Т
1 2 3 4 6
Интенсивность отказов внутренних контактных соединений рассчитывается по
формуле
СКСКРК
N
.1..
⋅=
λλ
,
где λ
К.С1
– интенсивность отказов одного соединения; N
К.С
– количество
соединений.
С учетом конструктивных, технологических и эксплуатационных факторов ин-
тенсивность отказов одного соединения можно представить следующим образом:
ТМККСКСК
ααααλλ
⋅⋅⋅⋅=
21
0
1.1.
,
где
0
1.СК
λ
– базовая интенсивность отказов одного внутреннего контактного со-
единения. Можно принимать
0
1.СК
λ
= 10
-12
1/(ч·шт.).
Интенсивность отказов внешних соединений рассчитывается аналогично
внутренним:
СВСВСВ
N
.1..
⋅=
λλ
,
где λ
В.С1
– интенсивность отказа одного соединения; N
B.C
– количество
соединений.
Для одного соединения интенсивность отказа равна
МКСВСВ
ααλλ
⋅⋅=
1
0
1.1.
Базовая интенсивность отказов одного внешнего соединения λ
В.С1
в зависимо-
сти от применяемых материалов и технологии принимается в соответствии с дан-
ными табл.13 приложения.

Страницы