ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
119
особый интерес в рассматриваемом вопросе представляют такие дефект-
ные уровни, которые располагаются там, где нет собственных энергетичес-
ких состояний, т.е. в запретной зоне, именно эти уровни и были названы
донорными и акцепторными.
Так как примесных атомов на несколько порядков (10
5
-10
10
) мень-
ше, чем собственных структурных частиц, то примесные атомы не вза-
имодействуют между собой и поэтому не образуют примесные энерге-
тические зоны. Уровни чужеродной примеси, оказавшиеся в области
запретной зоны, остаются изолированными, локальными. Это нагляд-
но представлено на рисунках 42 и 43. Следует подчеркнуть, что воз-
никновение примесных состояний не обязательно связано с различной
валентностью атомов примеси и основного вещества. Так, в ионных
полупроводниках дополнительные энергетические состояния в ЗЗ мо-
гут возникнуть не только от присутствия инородной примеси, но так-
же и от избытка каких-нибудь из основных, структурных частиц. Например,
избыток атомов свинца в сернистом свинце действует как донорная при-
месь. Главным критерием того, будет ли примесь донором или акцептором,
является то, где расположится примесный уровень: в ЗЗ или в ВЗ, или в ЗЗ
(рис. 48, масштаб на рисунке умышленно нарушен для достижения наглядно-
сти).
Рассмотрим, как влияют акцепторы и доноры на электропроводность
полупроводника. Пусть имеется лишь один, акцепторный уровень (рис. 42).
Он располагается вблизи верха ВЗ в ЗЗ. Между верхом В.З. и акцепторным
энергетическим уровнем расстояние ( в энергетическом масштабе) порядка
0,1 эВ и меньше. Поэтому электронам валентной зоны с энергетической
точки зрения легче перейти на акцепторный уровень, нежели возбудиться в
зону проводимости (напомним, что на –акцепторном уровне должно быть
вакантное энергетическое состояние, только в этом случае примесь может
называться акцептором). Конечно, определенная доля электронов, обладая
избыточной (флуктуационной) энергией теплового движения, может перейти
и в зону проводимости, но преобладающее большинство их задержится на
* Если температурный коэффициент сопротивления у металлов – величина
положительная; то у полупроводников он – отрицательная величина. Именно
такую аномалию обнаружил М.Фарадей в 1833 г.; измеряя температурную
зависимость сопротивления у сульфида серебра. Эту дату можно считать мо-
ментом обнаружения полупроводников. Но систематическое изучение и прак-
тическое применение полупроводников началось лишь спустя более 100 лет.
PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
особый интерес в рассматриваемом вопросе представляют такие дефект-
ные уровни, которые располагаются там, где нет собственных энергетичес-
ких состояний, т.е. в запретной зоне, именно эти уровни и были названы
донорными и акцепторными.
Так как примесных атомов на несколько порядков (105-1010) мень-
ше, чем собственных структурных частиц, то примесные атомы не вза-
имодействуют между собой и поэтому не образуют примесные энерге-
тические зоны. Уровни чужеродной примеси, оказавшиеся в области
запретной зоны, остаются изолированными, локальными. Это нагляд-
но представлено на рисунках 42 и 43. Следует подчеркнуть, что воз-
никновение примесных состояний не обязательно связано с различной
валентностью атомов примеси и основного вещества. Так, в ионных
полупроводниках дополнительные энергетические состояния в ЗЗ мо-
гут возникнуть не только от присутствия инородной примеси, но так-
же и от избытка каких-нибудь из основных, структурных частиц. Например,
избыток атомов свинца в сернистом свинце действует как донорная при-
месь. Главным критерием того, будет ли примесь донором или акцептором,
является то, где расположится примесный уровень: в ЗЗ или в ВЗ, или в ЗЗ
(рис. 48, масштаб на рисунке умышленно нарушен для достижения наглядно-
сти).
Рассмотрим, как влияют акцепторы и доноры на электропроводность
полупроводника. Пусть имеется лишь один, акцепторный уровень (рис. 42).
Он располагается вблизи верха ВЗ в ЗЗ. Между верхом В.З. и акцепторным
энергетическим уровнем расстояние ( в энергетическом масштабе) порядка
0,1 эВ и меньше. Поэтому электронам валентной зоны с энергетической
точки зрения легче перейти на акцепторный уровень, нежели возбудиться в
зону проводимости (напомним, что на –акцепторном уровне должно быть
вакантное энергетическое состояние, только в этом случае примесь может
называться акцептором). Конечно, определенная доля электронов, обладая
избыточной (флуктуационной) энергией теплового движения, может перейти
и в зону проводимости, но преобладающее большинство их задержится на
* Если температурный коэффициент сопротивления у металлов – величина
положительная; то у полупроводников он – отрицательная величина. Именно
такую аномалию обнаружил М.Фарадей в 1833 г.; измеряя температурную
зависимость сопротивления у сульфида серебра. Эту дату можно считать мо-
ментом обнаружения полупроводников. Но систематическое изучение и прак-
тическое применение полупроводников началось лишь спустя более 100 лет.
119
PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 117
- 118
- 119
- 120
- 121
- …
- следующая ›
- последняя »
