Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 120 стр.

       акцепторных уровнях (ведь их всё-таки 1013-1017 в одном кубическом санти-
       метре!). Последующий переход электронов с акцепторных уровней в ЗП тре-
       бует дополнительной энергии – энергии активации (энергии перехода). Ве-
       роятность таких переходов без интенсивного внешнего воздействия будет
       мала. Поэтому, если рассматриваемый полупроводник поместить во внеш-
       нее электрическое поле, замкнуть электрическую цепь, то полный ток в по-
       лупроводнике, как и в случае собственной проводимости, будет слагаться из
       электронного тока в ЗП и «дырочного» тока в ВЗ Но носителей тока в ЗП
       буде т очень мало по сравнению с их числом в В.З. Поэтому практически
       полный ток при наличии акцепторных уровней будет совпадать с током в ВЗ,

       т.е. с «дырочным» током: J полн ≈ J дыр . В этом случае говорят, что полу-
       проводник обладает дырочной проводимостью, или проводимостью p-типа
       (p-первая буква слова positiv – положительный). Это означает, что основны-
       ми носителями зарядов в этом полупроводнике являются «дырки», электро-
       ны же, оказавшиеся в ЗП, являются не основными носителями.
              Проанализируем зависимость сопротивления полупроводника (с дыроч-
       ной проводимостью) и металла при изменении температуры образца (рис. 49).
              В металле число носителей заряда, участвующих в электропроводнос-
       ти, вплоть до температуры плавления практически остается постоянным.
       Решающим фактором, влияющим на величину сопротивления, является воз-
       растающее с увеличением
       температуры колебатель-
       ное движение структурных
       частиц в узлах кристалли-
       ческой решётки, мешаю-
       щее направленному дви-
       жению электронов. Сопро-
       тивление металла с возрас-
       танием температуры при-
       близительно пропорцио-
       нально первой степени
       температуры. Иначе обсто-
       ит дело в полупроводнике.
       Здесь решающим факто-
       ром является увеличение
       числа носителей заряда по
       экспоненциальному зако-
                                                     Рис. 48.
                                                                             120




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com