Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 121 стр.

       ну (за счет притока энергии при теплопередаче электроны ВЗ получают не-
       обходимую энергию для преодоления запретной зоны). При высоких темпе-
       ратурах (3000 С и выше) электроны валентной зоны способны возбуждаться
       не только до акцепторных уровней, но и вплоть до уровней зоны проводимо-
       сти. Наряду с дырочной проводимостью, возникает равновеликая электрон-
       ная проводимость, и проводимость полупроводника приобретает характер
       собственной проводимости. Поэтому при нагревании полупроводника его
       сопротивление убывает почти по экспоненциальному закону (небольшое
       влияние все же оказывает состояние решётки). Эта зависимость полупро-
       водниковой проводимости от температуры используется при градуировке
       полупроводниковых термометров сопротивления – термисторов (терморе-
       зисторов). В качестве датчика в термисторах служит кристаллик полупро-
       водника, электрическая цепь содержит, помимо датчика, еще источник тока
       и гальванометр. Чувствительность термистора настолько велика, что, поме-
       стив датчик в фокус параболического зеркала, можно обнаружить тепловое
       излучение (например человека) на расстоянии сотни метров. Термисторы
       можно использовать не только для определения температуры, но и для опре-
       деления других характеристик, например, определять расход жидкостей или
       газов по изменению температуры обтекающих датчик жидкостей или газов.
             Рассмотрим влияние донорных примесей на проводимость полу-
       проводника (рис. 43). При возбуждении электронов донорной приме-
       си они могут перейти в ЗП При включении внешнего электрического
       поля электроны, оказавшиеся в ЗП, получат направленное движение,

       создавая электрический ток J эл . Дырочный ток в валентной зоне и на до-
       норных уровнях практически ра-
       вен нулю. Поэтому полупровод-
       ник с донорными уровнями бу-
       дет проявлять электронную про-
       водимость, или проводимость n -
       типа (n – первая буква слова
       negativ – отрицательный). В таком
       полупроводнике электроны явля-
       ются основными носителями за-
       ряда, а «дырки» – не основными.
       Зависимость сопротивления полу-
       проводника n – типа при измене-

                                                      Рис. 49.
                                                                           121




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com