Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 123 стр.

       кой контакт называют электронно-дырочным переходом, или p-n перехо-
       дом.
            Под контактом двух полупроводников понимают не механичес-
       кое соприкосновение полупроводников n-, и p- типов, а создание внут-
       ри кристалла резкой границы этих областей. Существует несколько
       методов формирования p-n – переходов. Рассмотрим их суть с физи-
       ческой точки зрения.
            Метод сплавления. На примесный кристалл германия n- типа на-
       кладывается кусочек кристалла индия, затем производится прогрев до
       температуры 500-6000 С. Расплавившийся индий растворяет в себе гер-
       маний, в результате чего образуется полупроводник, который после
       отвердевания будет обладать проводимостью p- типа. На границе двух
       кристаллов с различной проводимостью образуется p-n – переход (ко-
       нечно, весь технологический процесс происходит более сложно, здесь
       намечена лишь его основная схема).
            Метод диффузии. В этом методе используется процесс диффузии
       одного вещества в другое через границу их соприкосновения. При на-
       греве полупроводника p- типа через одну из его поверхностей проис-
       ходит диффузия примеси (можно взять кристалл с n-типом проводи-
       мости и диффундировать в него акцепторную примесь). В зависимос-
       ти от температуры процесса и его длительности, на определенной глу-
       бине кристалла возникает p-n-переход.
            Используется также эпитаксиальный метод, суть которого зак-
       лючается в осаждении на кристалл с помощью химических реакций из
       окружающей газообразной или жидкой среды тонкого слоя пленки того
       же полупроводника, но с другой, примесной проводимостью.
            Наконец, широкое применение нашел метод ионного легирования,
       когда необходимая примесь внедряется с помощью ионного пучка. Прак-
       тически все технологические процессы весьма сложны и доступны не
       всем промышленным странам. От качества изготовления p-n-переходов
       во многом зависит и качество радиоэлектронной полупроводниковой
       аппаратуры. В нашей стране все эти методы разработаны в промыш-
       ленных масштабах. Получив одним из указанных способов p-n-переход,
       рассмотрим его равновесное (не рабочее) состояние (рис. 50).
            Так как в полупроводнике n-типа имеется избыток электронов (по от-
       ношению к полупроводнику p-типа), а в полупроводнике p-типа – «дырок»,
       поэтому электроны из полупроводника n-типа сразу же начинают диффун-
       дировать в полупроводник p-типа. А из этого полупроводника возникает

                                                                          123




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com