Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 141 стр.

       новесия сила F уравновесит силу   Fл :
                                             e∆ϕ
                    F = Fл , или eνB =           ,
                                              a
       откуда
                    ∆ϕ = νBa .
              Учитывая, что

                                       j
                     j = enν и ν =       ,
                                      en
       для ∆ϕ можно написать:

                            1
                    ∆ϕ =      jBa .                          (3.15.2)
                           en
           Сравнивая формулы (3.15.1) и (3.15.2), получаем для постоянной
       Холла (если движутся положительно заряженные частицы)

                            1 .
                    RН =                                     (3.15.3)
                           en
             Зная R Н , можно определить как концентрацию носителей заря-
       да, так и знак их заряда (при отрицательно заряженных носителях за-

       ряда R Н <0 ).
            Если применить полученный результат к полупроводникам, то в
       полупроводниках п- типа постоянная Холла отрицательна (историчес-
       ки сложилось так, что этот эффект Холла назвали нормальным), у

       дырочных полупроводников R Н > 0 .
            Так как удельная проводимость σ = enU , где U – подвижность
       носителей заряда, то, используя формулу (3.15.3), получаем возмож-
       ность определить подвижность носителей заряда:

                   U = RН ⋅ σ .
            В предыдущих рассуждениях предполагалось, что все носители
       заряда имеют одну и ту же скорость v. Но это справедливо лишь для
       металлов и вырожденных полупроводников. В невырожденных полу-
       проводниках скорости носителей заряда распределены по Максвеллу.

                                                                        141




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com