ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
262
Внутренняя контактная разность потенциалов возникает из-за того, что энергия
электронов, находящихся на верхних уровнях зоны проводимости может оказаться
разной в металле 1 и металле 2. Это создаст дополнительный диффузный поток элект-
ронов. Возникающее благодаря этому переходу электронов электрическое поле не обя-
зательно будет того же направления, какое имеет поле внешней контактной разности
потенциалов. Внутренняя контактная разность потенциалов сильно зависит от темпе-
ратуры контакта, определяя тем самым термоэлектрические явления. Поле внутренней
контактной разности потенциалов возникает лишь в тонком пограничном слое двух
соприкасающихся металлов. Именно этим (и в силу относительной малости этого поля)
можно объяснить тот факт, что внутренняя контактная разность потенциалов практи-
чески не влияет на прохождение тока через контакт двух металлов.
10. Внутренний фотоэффект
Устройство полупроводникового фотоэлемента схематически изображено на
рис.10.1.
a) б)
Рис. 10.1.
Основной его частью является
n
p
−
- переход. Когда металлическая пластин-
ка в фотоэлементе не освещена, на границе
n
p
−
- перехода устанавливается дина-
мическое равновесие. Полупроводник
n
- типа получает положительный потенциал,
полупроводник
p
- типа – отрицательный потенциал и дальнейший переход электро-
нов через границу перехода прекращается (см. §8 главы 3).
В отличие от внешнего фотоэффекта, при внутреннем фотоэффекте электроны
не покидают освещаемое тело. Поэтому энергия кванта
ν
h
должна быть меньше энер-
гии
W
ионизации, но вместе с тем достаточной, чтобы возбудить электроны из вален-
тной зоны полупроводника
р
- типа в его зону проводимости. Металлическая под-
ложка
М
берется очень тонкой, чтобы световые лучи могли проникнуть до полупро-
PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
Внутренняя контактная разность потенциалов возникает из-за того, что энергия
электронов, находящихся на верхних уровнях зоны проводимости может оказаться
разной в металле 1 и металле 2. Это создаст дополнительный диффузный поток элект-
ронов. Возникающее благодаря этому переходу электронов электрическое поле не обя-
зательно будет того же направления, какое имеет поле внешней контактной разности
потенциалов. Внутренняя контактная разность потенциалов сильно зависит от темпе-
ратуры контакта, определяя тем самым термоэлектрические явления. Поле внутренней
контактной разности потенциалов возникает лишь в тонком пограничном слое двух
соприкасающихся металлов. Именно этим (и в силу относительной малости этого поля)
можно объяснить тот факт, что внутренняя контактная разность потенциалов практи-
чески не влияет на прохождение тока через контакт двух металлов.
10. Внутренний фотоэффект
Устройство полупроводникового фотоэлемента схематически изображено на
рис.10.1.
a) б)
Рис. 10.1.
Основной его частью является p−n - переход. Когда металлическая пластин-
ка в фотоэлементе не освещена, на границе p−n - перехода устанавливается дина-
мическое равновесие. Полупроводник n - типа получает положительный потенциал,
полупроводник p - типа – отрицательный потенциал и дальнейший переход электро-
нов через границу перехода прекращается (см. §8 главы 3).
В отличие от внешнего фотоэффекта, при внутреннем фотоэффекте электроны
не покидают освещаемое тело. Поэтому энергия кванта hν должна быть меньше энер-
гии W ионизации, но вместе с тем достаточной, чтобы возбудить электроны из вален-
тной зоны полупроводника р - типа в его зону проводимости. Металлическая под-
ложка М берется очень тонкой, чтобы световые лучи могли проникнуть до полупро-
262
PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 244
- 245
- 246
- 247
- 248
- …
- следующая ›
- последняя »
