Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 254 стр.

              13. Построение зонных схем диода и транзистора
                      с использованием уровня Ферми

              3) электростатическую ионизацию
       благодаря туннелированию электронов ва-
       лентной зоны в зону проводимости через
       запретную зону (эффект Зинера).
              Сделанные построения энергетичес-
       ких состояний кристаллического диода и
       транзистора в §§8 и 11 гл.3 формально пра-
       вильны, однако лишь качественно. Исполь-
       зуя же уровень Ферми, эти схемы можно
       сделать более точными.
              Напомним, что энергия Ферми в тер-    Рис. 13.1.
       модинамике называется химическим потен-
       циалом и в состоянии термодинамическо-
       го равновесия двух гомогенных фаз имеет
       одно и то же числовое значение. Именно это
       свойство химического потенциала (энергии
       Ферми) мы используем при рассмотрении
       равновесного состояния n − p -перехода.
       Напомним, что при наличии донорной при-
       меси уровень Ферми располагается между
       донорным уровнем и дном зоны проводи-
       мости (см. рис.13.1).
             В полупроводнике с акцепторной
       примесью уровень Ферми располагается         Рис. 13.2.
       между акцепторным уровнем и верхом ва-
       лентной зоны (см. рис.13.2).
             Приведем в физический контакт два
       полупроводника разной проводимости.
       Начнем рисовать n − p -переход через
       изображение уровня Ферми, который дол-
       жен простираться на одной высоте, прохо-
       дя через запретные зоны обоих полупровод-
       ников, а затем дорисуем остальные уровни
       Д, А, границ зон (см. рис.13.3).
              В результате диффузии электронов




                                                    Рис. 13.3.



                                                                 270




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com