Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 255 стр.

       из полупроводника   n -типа в полупроводник
        p   -типа первый полупроводник заряжается
       положительно, а второй – отрицательно.
              Возникает контактная разность потенци-
       алов, направленная слева направо. Это поле до-
       стигнет определенной величины, так как на-
       ступает динамическое равновесие между двумя
       потоками электронов: слева направо в силу раз-
       ной концентрации электронов в контактирую-
       щих полупроводниках; справа налево под воз-
       действием контактного электрического поля.
       Последнее не может исчезнуть, так как первый              Рис. 13.4.
       процесс его восстанавливает. Как и полагается
       по определению, химический потенциал располагается на одной высоте, символизируя
       наступление динамического равновесия.
              Рассмотрим запорное состояние
        n − p -перехода. Оно возникает, ког-
       да к    n − p -переходу   приложено
       внешнее поле того же направления, что
       и контактное поле (см. рис. 13.5).
             Под воздействием добавочного
       поля динамическое равновесие нару-
       шается, новый поток электронов воз-
       никнет справа налево, этим же полем
       электроны будут отодвинуты от грани-
       цы   n − p -перехода. Контакт обедня-
       ется носителями заряда, что эквивален-
       тно возрастанию омического сопро-
       тивления участка    n − p -контакта.
        n − p -переход   оказывается запер-
       тым, ничтожно малый ток обусловлен
       неосновными носителями заряда. Зон-
       ная схема отражает трудность перехо-
       да электронов из полупроводника n -                   Рис. 13.5.
       типа в полупроводник p -типа тем,
       что уровни в правом полупроводнике оказываются приподнятыми по отношению их
       положения в состоянии динамического равновесия (см. рис. 13.3), уровень Ферми отра-
       жает это неравновесное, запорное состояние тем, что в полупроводнике      p -типа под-
       нимается по отношению к его положению в полупроводнике         n -типа.   Возможность
       отхода электронов в полупроводнике       n -типа от n − p -контакта обусловлена   вне-
       шним электрическим полем и осуществляется благодаря тому, что зона проводимости

                                                                                         271




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com