Строение и свойства вещества. Изд. 2-е, переработанное. Розман Г.А. - 256 стр.

       «простирается» через весь кристалл, и электроны в зоне проводимости являются свобод-
       ными и, обладая одной и той же энергией, способны перемещаться по уровню от контакта
       влево.
              Если внешнее поле направлено
       противоположно контактному полю
       (см. рис.13.6), то оно будет способство-
       вать обогащению     n − p -перехода
       электронами.
             Это эквивалентно уменьшению
       омического сопротивления контакта и
       возрастанию тока. На зонной схеме
        n − p -перехода это отображено по-
       нижением уровней в полупроводнике
        p -типа ниже их положения в равно-
       весном состоянии. Соответственно и
       уровень Ферми понижается при пере-
       ходе через   n − p -переход   (см. рис.
       13.6).
             Поскольку транзистор рассмат-
       ривается как система из двух диодов,
       имеющих общий элемент (базу), то мы                      Рис. 13.6.
       изобразим лишь равновесное состояние
       транзистора (рис. 13.7.), так как состояние его частей легко восстановить, используя
       предыдущие схемы n − p -переходов.




                                                                                      272




PDF created with pdfFactory Pro trial version www.pdffactory.com