Электроматериалы. Руппель А.А. - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СибАДИ | Омск

Составители: 

Рубрика: 

38
которых состоят полупроводники, связаны со своими атомами и не
могут двигаться, т.е. не являются свободными.
С повышением температуры возрастает число разрывов кова-
лентных связей и увеличивается количество свободных электронов в
кристаллах чистых полупроводников. Это означает, что удельная
электропроводность чистых полупроводников увеличивается с повы-
шением температуры. Соответственно удельное сопротивление чис-
тых полупроводников уменьшается при нагревании. Этим полупро-
водники существенно отличаются от металлов, у которых удельное
сопротивление увеличивается при нагревании.
Кроме нагревания, разрыв ковалентной связи и возникновение
собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны ос-
вещением (фотопроводимость полупроводников), а также действием
сильных электрических полей.
Когда кристаллический чистый полупроводник получает энер-
гию, необходимую для разрыва ковалентных связей, и электрон ухо-
дит со своего места, электрическая нейтральность кристалла в этом
месте нарушается. В том месте, откуда ушел электрон, возникнет из-
быточный положительный заряд – образуется положительная дырка.
Она ведет себя как заряд, равный по абсолютному значению заряду
электрона, но положительный по знаку. На освободившееся от элек-
трона место – дырку – может переместиться соседний электрон, а это
равносильно тому, что переместилась положительная дырка: она поя-
вится в новом месте, откуда ушел электрон.
Во внешнем электрическом поле электроны перемещаются в сто-
рону, противоположную направлению напряженности электрического
поля. Положительные дырки перемещаются в направлении напря-
женности электрического поля, т. е. в ту сторону, куда двигался бы
положительный заряд под действием электрического поля. Процесс
перемещения электронов и дырок во внешнем поле происходит по
всему кристаллу полупроводника. Электропроводность чистого полу-
проводника, обусловленная упорядоченным перемещением дырок,
называется собственной дырочной проводимостью (проводимостью
р-типа). Температурная зависимость удельного сопротивления при
дырочной проводимости аналогична той, которая характерна для
электронной проводимости. Общая удельная электропроводность по-
лупроводника складывается из проводимостей n- и р-типов.
Примесной проводимостью полупроводников называется их
электропроводность, обусловленная внесением в их кристаллические
решетки примесей (примесных центров). Примесными центрами яв-

Страницы