Электроматериалы. Руппель А.А. - 41 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СибАДИ | Омск

Составители: 

Рубрика: 

40
проводники с такой проводимостью называются электронными, или
полупроводниками n-типа. Атомы примесей, поставляющие электро-
ны, называются донорами.
При замещении в кристалле полупроводника одного атома с че-
тырьмя валентными электронами атомом примеси, который имеет три
валентных электрона (индий, бор, алюминий), наоборот, возникает
недостаток одного электрона для образования всех ковалентных свя-
зей в решетке. Однако примесный атом может создать все связи, если
он заимствует электрон у ближайшего основного атома в решетке.
Тогда на месте электрона, ушедшего из основного атома, образуется
положительная дырка, которая в свою очередь может быть заполнена
электроном из следующего, соседнего атома решетки, и т. д. После-
довательное заполнение положительных дырок электронами равно-
сильно движению дырки в полупроводнике и появлению в нем носи-
телей тока. Под действием электрического поля дырка перемещается
в направлении вектора напряженности поля и в полупроводнике воз-
никает дырочная примесная проводимость. Полупроводники с такой
проводимостью называются примесными дырочными, или полупро-
водниками р-типа. Атомы примесей, которые приводят к примесной
дырочной проводимости, называются акцепторами.
Если в полупроводник одновременно вводятся и донорные, и ак-
цепторные примеси, то характер проводимости (ее n- или р-тип) оп-
ределяется примесью с более высокой концентрацией носителей тока
– электронов или дырок. При любом типе электропроводности полу-
проводника концентрация носителей тока в нем значительно меньше,
чем в металлах. Но величина этой концентрации, как и энергия носи-
телей тока в полупроводниках, в отличие от металлов, зависит весьма
сильно от температуры. При нагревании число носителей тока резко
возрастает.
Электрические свойства контакта полупроводников р- и n-
типов.
Область монокристаллического полупроводника, в котором про-
исходит смена проводимости с электронной на дырочную (или на-
оборот), называется электронно-дырочным переходом (р-n-
переходом). Обычно р-n-переход образуется в кристалле полупровод-
ника, где введением соответствующих примесей создаются области с
различной (р- и п-) проводимостью.
При контактировании двух полупроводников с различными ти-
пами проводимости будет происходить взаимная диффузия носителей
тока через границу соприкосновения (контакт) полупроводников.

Страницы