Электроматериалы. Руппель А.А. - 42 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СибАДИ | Омск

Составители: 

Рубрика: 

41
Электроны из n-полупроводника будут диффундировать в дырочный
р-полупроводник. В результате из объема n-полупроводника, грани-
чащего с контактом, уйдут электроны, этот объем будет обеднен
электронами и вблизи границы в нем образуется избыточный поло-
жительный заряд. Диффузия дырок из р-полупроводника по анало-
гичным причинам приведет к возникновению вблизи границы в р-
полупроводнике избыточного отрицательного заряда. В результате на
границе электронно-дырочного перехода образуется запирающий
электрический слой толщины. Электрическое поле запирающего слоя
препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через гра-
ницу раздела двух полупроводников. Запирающий слой имеет повы-
шенное сопротивление по сравнению с остальными объемами полу-
проводников.
Внешнее электрическое поле
влияет на сопротивление запирающе-
го электрического поля. Если n-
полупроводник подключен к отрица-
тельному полюсу источника, а плюс
источника соединен с р-
полупроводником, то под действием
электрического поля электроны в n-
полупроводнике и дырки в р-
полупроводнике будут двигаться навстречу друг другу к границе раз-
дела полупроводников. Электроны, переходя границу, «заполняют»
дырки. При таком прямом (пропускном) направлении внешнего элек-
трического поля толщина запирающего слоя и его сопротивление не-
прерывно уменьшаются (рис. 5). В этом направлении электрический
ток проходит через границу двух полупроводников.
Если n-полупроводник соединен с положительным полюсом ис-
точника, а р-полупроводник – с отрицательным, то электроны в n-
полупроводнике и дырки в р-полупроводнике под действием электри-
ческого поля будут перемещаться от границы раздела в противопо-
ложные стороны (рис. 6). Это приводит к утолщению запирающего
слоя и увеличению его сопротивления. Направление внешнего
электрического поля, расширяющее запирающий слой, называется за-
пирающим (обратным). При таком направлении внешнего поля элек-
трический ток через контакт двух п- и р-полупроводников практиче-
ски не проходит.
Рис. 5. Пограничный слой
р-n-перехода
p
p
n
n
l

Страницы