ВУЗ:
Составители:
39
ляются: а) атомы или ионы посторонних химических элементов, вне-
дренные в решетку полупроводника; б) избыточные атомы или ионы
элементов полупроводников, внедренные в междоузлия решетки; в)
различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической ре-
шетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформаци-
ях кристаллов и т. д.
Примеси вносят изменения в электропроводность полупроводни-
ков. При изменении концентрации примесей изменяется число носи-
телей электрического тока – электронов и дырок. Возможность
управления числом носителей тока (нагреванием или действием дру-
гих факторов, например освещением) лежит в основе широкого при-
менения полупроводников в науке и технике. В металлах такая воз-
можность отсутствует.
Ge
Ge
Ge
Ge
P
+
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Рис. 4. Решетка германия
с примесью фосфора
Примеси могут служить дополнительными поставщиками элек-
тронов в кристаллы полупроводников. Пусть, например, в решетке
полупроводника один атом германия, имеющий четыре валентных
электрона, заменен атомом примеси, который имеет пять валентных
электронов (фосфор, мышьяк, сурьма). Четыре электрона примесного
атома участвуют в образовании ковалентных связей с электронами
соседних атомов германия, а пятый электрон не может участвовать в
образовании ковалентной связи. Он является «лишним», слабее свя-
зан со своим атомом и легко может его покинуть и стать свободным
электроном (рис. 4). Под действием электрического поля такие элек-
троны приходят в упорядоченное движение в кристалле полупровод-
ника и в нем возникает электронная примесная проводимость. Полу-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 38
- 39
- 40
- 41
- 42
- …
- следующая ›
- последняя »
