Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

57
пути прокачки газов травление протекает практически изотропно. Поэтому
сегодня наиболее перспективной является установка планарного реактора,
схема которой показана на рис. 38.
Принцип действия остается тот же. Но в данном случае электроды имеют
плоскую форму и расположены внутри камеры, причем пластины размещают-
ся на одном из электродов заземленном или незаземленном). В соответствии с
тем, какой из электродов заземлен, выбирается оптимальное давление газа:
1,33 Па - для расположения пластин на незаземленном электроде и 13,3 Па -
на заземленном. По ряду параметров и характеристик расположение пластин
на незаземленном электроде считается более предпочтительным.
Главным преимуществом установок планарного типа является высокая
анизотропия травления, обусловленная следующими причинами:
1) электрическое поле ускоряет заряженные частицы в направлении, перпен-
дикулярном поверхности пластины;
2) наблюдается распыление в результате взаимодействия поверхности образ-
ца с ионами.
Еще одной положительной особенностью данных установок является
возможность обработки материалов, травление которых в цилиндрическом
реакторе затруднительно. Это связано, с одной стороны, с процессом распы-
ления, проявляющимся в планарных реакторах более интенсивно, чем в ци-
линдрических, а с другой стороны, с образованием активных частиц в непо-
средственной близости от пластин. В результате вклад частиц с малым време-
нем жизни оказывается существенным.
2.13. Технология быстрой термической обработки
При изготовлении СБИС одним из основных методов легирования полу-
проводниковых пластин является ионная имплантация, поскольку по сравне-
нию с диффузией она предполагает большие возможности по формированию
мелких легированных слоев с заданным профилем концентрации примесей,
позволяет получить более четкие края легированных областей, вводить при-
меси в концентрациях, превышающих предел растворимости, при сравнитель-
но низких температурах (500 - 800
о
С) [5].
Основными недостатками ионной имплантации являются размещение
большинства атомов примеси не в узлах кристаллической решетки, а в междо-
узлиях, а также высокая концентрация дефектов поверхности пластин, что
требует проведения после имплантации термического отжига с целью актива-
ции атомов примеси и устранения дефектов.
Исторически первым методом термического отжига было выдерживание
обрабатываемых пластин в печи при температуре порядка 1000
о
С в течение
Рис. 38. Плазменное травление в планарном
реакторе

Страницы