Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 53 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

55
ного излучения формируют рентгеновские лучи более высокой направленно-
сти, чем обычные источники мягкого рентгеновского излучения, что позволя-
ет существенно уменьшить вр емя экспозиции (до секунд при нескольких часах
для обычных рентгенолитографических установок) и тем самым повысить
производительность, снизить требования к параметрам рентгенорезистов и
упростить схемы для совмещения шаблонов. Благодаря малой угловой расхо-
димости лучей, пространственное разрешение не ограничено эффектом полу-
тени и зазор между шаблоном и пластиной может быть больше, чем в тради-
ционных рентгенолитографических установках (вплоть до 1 мм для формиро-
вания рисунков с минимальными размерами 1 мкм).
К недостаткам следует отнести высокую стоимость синхротронов, им-
пульсный характер излучения, а также широкий спектр, охватывающий, по-
мимо рентгеновского излучения, ультрафиолетовый, видимый и инфракрас-
ный диапазоны.
2.12. Технология плазменного травления
После того, как с помощью литографического процесса получен рисунок
на резисте, находящаяся под ним пленка удаляется посредством травления.
Существующие методы травления можно разделить на две группы: влажного
и сухого травления [3,5].
При влажном (химическом) травлении возникает ряд проблем. Резисты
часто теряют адгезию к прилегающим к ним пленкам при обработке их в на-
гретых кислотах. Кроме того, процесс травления пленки происходит как
вглубь, так и в боковых направлениях (изотропно); при этом происходит под-
травливание пленки и расширяются границы окон по сравнению с их разме-
рами в резисте. Следующая проблема химического травления относится к
структурам субмикронных размеров. Процесс травления здесь затрудняется
из-за сил поверхностного натяжения растворов, которые приводят к образова-
нию “мостиков” жидкости и пустого пространства под ними между двумя
соседними полосками резиста. В этой области не происходит травления ниже-
лежащей пленки. Вследствие перечисленных трудностей, использование ме-
тодов химического травления в процессе производства СБИС представляется
практически невозможным. Поэтому применительно к производству СБИС
были разработаны методы сухого травления с использованием ионизирован-
ных газов.
К методам сухого травления относят ионное (ионно-лучевое) травление,
основанное на физическом взаимодействии травимого слоя с ионами, рас-
смотренное ранее в разделе, посвященном эпитаксии; и плазменное (ионно-

Страницы