Проектирование специализированных СБИС. Рындин Е.А. - 51 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Испарение Распыление Разложение Восстановление

Рис. 34. Классификация методов газофазной эпитаксии

2.10. Молекулярно-лучевая эпитаксия

В продолжение предыдущей темы, ознакомление с перспективными тех-

нологическими процессами удобно начать с рассмотрения молекулярно-

лучевой эпитаксии (МЛЭ) [3].

По сути, МЛЭ представляет собой эпитаксию посредством испарения в

сверхглубоком вакууме. Но, в отличие от рассмотренного ранее процесса

обычной эпитаксии, использующей данный механизм, в установках МЛЭ

поддерживается вакуум порядка 10

-8

Па при относительно низких температу-

рах (≥ 600

С), что позволяет формировать слоистые монокристаллические

структуры, имеющие сложный профиль концентрации примесей.

Принцип этого метода состоит в непосредственном управлении пучками

атомов требуемых веществ, испускаемых нагревателями, которые могут быть

перекрыты при изменении типа выращиваемого кристалла.

Так как в процессе МЛЭ требуется поддерживать очень высокий вакуум,

большинство промышленных установок снабжены вакуумными шлюзами для

смены образцов, что обеспечивает высокую пропускную способность при

смене пластин и сводит к минимуму атмосферное загрязнение камеры. Важ-

ной особенностью МЛЭ является низкая скорость роста пленки (6 - 60

нм/мин), что позволяет очень точно контролировать толщину эпитаксиальных

слоев.